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J-GLOBAL ID：200903030573718242

スピンメモリ

Inventor：
斉藤 好昭

About 斉藤 好昭

, 
杉山 英行

About 杉山 英行

, 
井口 智明

About 井口 智明


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (8)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006106491
Publication number (International publication number)：2007281247
Application date： Apr. 07, 2006
Publication date： Oct. 25, 2007
Summary：
【課題】熱揺らぎ耐性を有する低消費電力、低電流書き込み及び高信頼性のスピンメモリを提供する。【解決手段】本発明の例に関わるスピンメモリは、第1及び第2導電線13、BLuと、第1導電線13の一端と第2導電線BLuとの間に配置される磁気抵抗効果素子MTJと、第1導電線13の他端に接続されるスイッチ素子SWと、第1及び第2導電線13,BLuを介して磁気抵抗効果素子MTJにスピントルクによる磁化反転のためのスピン注入電流Isを流すドライバ/シンカーとを備え、磁気抵抗効果素子MTJは、磁化方向が可変の磁気記録層と、磁化方向が固着される磁気固着層とを有し、磁気記録層の磁化容易軸と第1導電線13の長軸とのなす角度θは、0°<θ≦45°である。【選択図】図3
Claim (excerpt)：
第1及び第2導電線と、前記第1導電線の一端と前記第2導電線との間に配置される第1磁気抵抗効果素子と、前記第1導電線の他端に接続されるスイッチ素子と、前記第1及び第2導電線を介して前記第1磁気抵抗効果素子にスピントルクによる磁化反転のためのスピン注入電流を流すドライバ/シンカーとを具備し、前記第1磁気抵抗効果素子は、磁化方向が可変の磁気記録層と、磁化方向が固着される第1磁気固着層とを有し、前記磁気記録層の磁化容易軸と前記第1導電線の長軸とのなす角度θは、0°<θ≦45°であることを特徴とするスピンメモリ。
IPC (4)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 29/82
FI (3)：
H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L29/82 Z
F-Term (52)：
4M119AA03 ,  4M119BB01 ,  4M119CC02 ,  4M119CC05 ,  4M119DD09 ,  4M119DD33 ,  4M119DD45 ,  4M119DD46 ,  4M119DD52 ,  4M119EE03 ,  4M119EE06 ,  4M119EE13 ,  4M119EE22 ,  4M119EE27 ,  4M119FF06 ,  4M119FF13 ,  4M119FF15 ,  4M119FF17 ,  4M119HH02 ,  4M119HH05 ,  4M119HH07 ,  5F092AA08 ,  5F092AB08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB10 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB23 ,  5F092BB24 ,  5F092BB33 ,  5F092BB34 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BB43 ,  5F092BB44 ,  5F092BB49 ,  5F092BB53 ,  5F092BC03 ,  5F092BC04 ,  5F092BC07 ,  5F092BC08 ,  5F092BC13 ,  5F092BC20 ,  5F092BC22 ,  5F092BC46 ,  5F092BE06 ,  5F092EA06
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
  • 米国特許第6,256,223号
Cited by examiner (11)
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