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J-GLOBAL ID：200903024742781781

電子放出陰極

Inventor： 平木 昭夫 ,  ビー.エス.サティアナラヤーナ
Applicant, Patent owner： 平木 昭夫 ,  ビー.エス.サティアナラヤーナ
Agent (1)： 岡田 和秀
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001207625
Publication number (International publication number)：2002093305
Application date： Jul. 09, 2001
Publication date： Mar. 29, 2002
Summary：

【要約】【課題】 FED(Field Emission Display)に好適な放出開始電圧の低い電子放出陰極を提供する。【解決手段】 シリコン基板1上に、平均粒径が例えば、数十nm〜数百nmのダイヤモンドの超微粒子2を配置形成し、カソードアーク法を用いて、sp2結合を有する炭素膜5上にsp3結合を有する炭素膜6が積層された複合炭素膜4を形成し、実質的に仕事関数が非常に低いこの複合炭素膜4によって電子放出性能を向上させて放出開始電圧を低減している。

Claim (excerpt)：

sp2結合を有する炭素上にsp3結合を有する炭素膜が積層された積層構造が、基板上に突出して形成されることを特徴とする電子放出陰極。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 電界電子放出素子およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-104466   Applicant：キヤノン株式会社
• 電界放出電子エミッタ及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-236508   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 電界放出電子エミッタ及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-241326   Applicant：モトローラ・インコーポレイテッド
• 電子放出陰極、それを用いた電子放出素子、フラットディスプレイ、及び熱電冷却装置、ならびに電子放出陰極の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-255356   Applicant：松下電器産業株式会社
• 改善されたダイヤモンド薄膜エミッタを用いた電界放射デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-282316   Applicant：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション