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J-GLOBAL ID：200903024841073853

微細孔および/または微細溝を有する基材の孔埋めめっき方法

Inventor：
長井 瑞樹

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本郷 明久

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大野 寛二

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君塚 亮一

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丸山 恵美

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Applicant, Patent owner：
株式会社荏原製作所

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荏原ユージライト株式会社

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Agent (1)： 小野 信夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005145258
Publication number (International publication number)：2005256178
Application date： May. 18, 2005
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：
【課題】 特別の電気的設備を必要とせず、簡単に、微細な溝あるいは孔に対し、ボイドの発生を防ぎながら効率よく銅めっきを行ない、基材上の配線溝を孔埋めする方法を開発すること。【解決手段】 基材上の異なった径や幅あるいは深さの微細孔および/または微細溝をめっきにより孔埋めめっき方法であって、孔径および/または溝幅が0.3μm以下の微細孔および/または微細溝は、平均陰極電流密度0.03〜0.5Adm2の電流密度のめっきにより、それ以外の孔径および/または溝幅の微細孔および/または微細溝は、平均陰極電流密度0.5〜10A/dm2の電流密度のめっきにより孔埋めする孔埋めめっき方法並びに微細孔および/または微細溝を有する基材上に、相対的に低い電流密度でめっきを行い、次いで相対的に高い電流密度でめっきする微細孔および/または微細溝が孔埋めされた基材の製造方法。【選択図】 なし
Claim (excerpt)：
基材上の異なった径や幅あるいは深さの微細孔および/または微細溝をめっきにより孔埋めめっき方法であって、孔径および/または溝幅が0.3μm以下の微細孔および/または微細溝は、平均陰極電流密度0.03〜0.5Adm2の電流密度のめっきにより、それ以外の孔径および/または溝幅の微細孔および/または微細溝は、平均陰極電流密度0.5〜10A/dm2の電流密度のめっきにより孔埋めすることを特徴とする孔埋めめっき方法。
IPC (4)：
C25D7/12 ,  C25D3/38 ,  H01L21/288 ,  H01L21/3205
FI (4)：
C25D7/12 ,  C25D3/38 ,  H01L21/288 E ,  H01L21/88 M
F-Term (27)：
4K023AA19 ,  4K023BA06 ,  4K023BA25 ,  4K023CA01 ,  4K023CA09 ,  4K023DA02 ,  4K023DA03 ,  4K023DA07 ,  4K023DA08 ,  4K024AA09 ,  4K024AA10 ,  4K024AB01 ,  4K024BB12 ,  4K024CA01 ,  4K024CA02 ,  4K024CA06 ,  4K024GA16 ,  4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104HH20 ,  5F033HH11 ,  5F033JJ11 ,  5F033MM01 ,  5F033PP27 ,  5F033PP33 ,  5F033WW00 ,  5F033XX00
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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