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J-GLOBAL ID：200903074779546070

半導体装置の配線形成に用いる無電解めっき浴及び半導体装置の配線形成方法

Inventor： 遠藤 政孝 ,  川口 明実 ,  西尾 幹夫 ,  橋本 伸
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995149873
Publication number (International publication number)：1996083796
Application date： Jun. 16, 1995
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：

【要約】【目的】 半導体装置の金属配線層を無電解めっき浴を用いて形成しても、金属配線層に金属不純物がほとんど含まれないようにする。【構成】 半導体基板11上に形成された絶縁膜12にコンタクトホール13及び配線用の溝14を形成する。銀イオンを含む硝酸銀、銀イオンの還元剤である酒石酸、銀イオンの錯化剤であるエチレンジアミン、及びpH調整剤であるテトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド金属イオンを有する無電解めっき浴により、コンタクトホール13及び配線用の溝14の内部及び絶縁膜12の上に銀膜18を形成する。その後、絶縁膜12の上の銀膜18を化学機械研磨法により除去して、コンタクトホール13及び配線用の溝14の内部に埋め込み配線19を形成する。

Claim (excerpt)：

金属イオンを含む金属材料、化学式中に金属を含まない前記金属イオンの還元剤、化学式中に金属を含まない前記金属イオンの錯化剤、及び、化学式中に金属を含まないpH調整剤を有することを特徴とする半導体装置の配線形成に用いる無電解めっき浴。

IPC (6)：

H01L 21/3205 ,  C23C 18/34 ,  C23C 18/36 ,  C23C 18/40 ,  C23C 18/44 ,  H01L 21/28 301

FI (2)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 特開昭51-107068
  
• 無電解銅メッキ液および該メッキ液を用いた銅薄膜の形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-010592   Applicant：株式会社東芝
• 成形品の無電解めっき液及びめっき法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-122412   Applicant：日立化成工業株式会社
• 半導体集積回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-164825   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-265694   Applicant：日本電気株式会社
• 半導体デバイスの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-062416   Applicant：エヌ・ベー・フイリツプス・フルーイランペンフアブリケン
• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-183880   Applicant：株式会社東芝