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J-GLOBAL ID：200903025040067408

半導体基板の製造方法

Inventor： 関 原 章 子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 佐藤 一雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997073398
Publication number (International publication number)：1998270455
Application date： Mar. 26, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 特定の熱処理法を採用することによって、BMD密度の最適化と機械的強度の向上の双方にすぐれた半導体基板を提供すること。【解決手段】 ボロン濃度1×1018atoms/cm3 以上、初期酸素濃度7×1017atoms/cm3 (Old ASTM基準)以上のP型シリコン基板に対して、温度500°C〜690°Cの温度範囲において、熱処理温度T°Cと時間thとの関係が下記の条件(A):log10t >(4.091 ×10-7)T3 -(6.573×10-4)T2 +0.3478T -59.72 (A)を満足するような熱処理を行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。

Claim (excerpt)：

ボロン濃度1×1018atoms/cm3 以上、初期酸素濃度7×1017atoms/cm3 (Old ASTM基準)以上のP型シリコン基板に対して、温度500°C〜690°Cの温度範囲において、熱処理温度T°Cと時間thとの関係が下記の条件(A):log10t >(4.091 ×10-7)T3 -(6.573×10-4)T2 +0.3478T -59.72 (A)を満足するような熱処理を行うことを特徴とする、半導体基板の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/324 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322

FI (3)：

H01L 21/324 X ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/322 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

• 特開昭60-247935
  
• 特開昭60-066827
  
• 特開昭60-198735
  
• 半導体基板およびその処理方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-349538   Applicant：株式会社東芝
• シリコン半導体基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-081608   Applicant：株式会社東芝
• 半導体基板の製造方法およびその検査方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-032111   Applicant：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 特開昭60-247935
  
• 特開昭60-066827
  
• 特開昭60-198735