導電膜配線の形成方法、膜構造体、電気光学装置、並びに電子機器

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：渡邊隆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002119448
Publication number (International publication number)：2003315813
Application date： Apr. 22, 2002
Publication date： Nov. 06, 2003
Summary：

【要約】【課題】導電膜配線の細線化とともに、基板に対する導電膜配線の密着力を高めることができる導電膜配線の形成方法を提供する。【解決手段】液体吐出手段10を介して金属微粒子を含む第1の液体材料を基板11上に配置し、基板11上に所定パターンの導電膜配線を形成する際に、それに先立って、基板11の表面を液体材料に対して撥液性に制御するとともに、液体吐出手段10を介して第1の液体材料とは異なる第2の液体材料を基板11上に配置し、基板11に対する導電膜配線の密着力を向上させる中間層W1を形成する。

Claim (excerpt)：

液体吐出手段を介して第1の金属微粒子を含む第1の液体材料を基板上に配置し、該基板上に所定パターンの導電膜配線を形成する方法であって、前記第1の液体材料を前記基板上に配置する前に、前記基板の表面を前記第1の液体材料および前記第1の液体材料とは異なる第2の液体材料に対して撥液性に制御する表面処理工程と、前記表面処理工程の後に、液体吐出手段を介して前記第2の液体材料を前記基板上に配置し、前記基板に対する前記導電膜配線の密着力を向上させる中間層を形成する中間層形成工程とを有することを特徴とする導電膜配線の形成方法。

IPC (2)：

G02F 1/1343 , G02F 1/1345

FI (2)：

G02F 1/1343 , G02F 1/1345

F-Term (32)：

2H092GA24 , 2H092GA28 , 2H092GA32 , 2H092GA40 , 2H092GA48 , 2H092GA59 , 2H092GA60 , 2H092HA06 , 2H092HA21 , 2H092HA22 , 2H092HA23 , 2H092HA26 , 2H092HA27 , 2H092JB22 , 2H092JB26 , 2H092JB31 , 2H092JB35 , 2H092KA15 , 2H092KA17 , 2H092KA18 , 2H092KA19 , 2H092KB01 , 2H092KB04 , 2H092KB05 , 2H092KB11 , 2H092MA09 , 2H092MA16 , 2H092MA29 , 2H092MA32 , 2H092NA15 , 2H092NA16 , 2H092NA18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

電気回路、その製造方法および電気回路製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-078149 Applicant：セイコーエプソン株式会社
パターン形成方法および基板製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-008016 Applicant：セイコーエプソン株式会社
薄膜パタ-ンの製造方法および微細構造体
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-099930 Applicant：セイコーエプソン株式会社

Show all

Return to Previous Page