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J-GLOBAL ID：200903025054608754

半導体発光素子

Inventor：
佐野 雅彦

About 佐野 雅彦


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001321769
Publication number (International publication number)：2003124517
Application date： Oct. 19, 2001
Publication date： Apr. 25, 2003
Summary：
【要約】 (修正有)【目的】電力変換効率の高い半導体半導体素子を提供する。【手段】n型半導体層102とp型半導体層104との間に発光層103を有し、p型半導体層の表面にp側電極1が設けられ、p型半導体層側からのエッチングによって一部が露出されたn型半導体層の表面にn側電極3が設けられている半導体発光素子であって、p側電極は、p型半導体層とオーミック接続されたp側オーミック電極と、p側オーミック電極の一部の上に接するよう設けられたワイヤボンディング用のp側パッド電極2とからなり、p側パッド電極の中央部がp型半導体層上に接して設けられた絶縁層上に接して設けられるとともに、p側パッド電極の外周部の少なくとも一部がp側オーミック電極上に接して設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
Claim (excerpt)：
n型半導体層とp型半導体層との間に発光層を有し、前記p型半導体層の表面にp側電極が設けられ、前記p型半導体層側からのエッチングによって一部が露出されたn型半導体層の表面にn側電極が設けられている半導体発光素子であって、前記p側電極は、前記p型半導体層とオーミック接続されたp側オーミック電極と、該p側オーミック電極の一部の上に接するよう設けられたワイヤボンディング用のp側パッド電極とからなり、前記p側パッド電極の中央部が前記p型半導体層上に接して設けられた絶縁層上に接して設けられるとともに、p側パッド電極の外周部の少なくとも一部が前記p側オーミック電極上に接して設けられていることを特徴とする半導体発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C
F-Term (8)：
5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA93
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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