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J-GLOBAL ID：200903025335790969

プラズマ処理装置および方法

Inventor： 角屋 誠浩 ,  安井 尚輝 ,  渡辺 成一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001275893
Publication number (International publication number)：2002184766
Application date： Sep. 12, 2001
Publication date： Jun. 28, 2002
Summary：

【要約】【課題】プラズマ処理におけるチャージングダメージを抑制する。【解決手段】基板電極115と該電極に対向するアンテナ電極103にそれぞれ印加する高周波バイアスの位相を制御し、両電極のいずれか一方に常にアースとしての機能を持たせる。

Claim (excerpt)：

試料を配置する基板電極に対して、対向する電極を設け、前記対向する電極にプラズマ生成用の高周波電力を印加するとともに、前記両電極にそれぞれ前記プラズマ生成用の高周波電力よりも周波数が低く逆位相となる他の高周波電力を印加することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 ,  B01J 19/08 ,  B01J 19/12 ,  H05H 1/46

FI (5)：

B01J 19/08 E ,  B01J 19/12 C ,  H05H 1/46 C ,  H05H 1/46 L ,  H01L 21/302 B

F-Term (24)：

4G075AA30 ,  4G075BC06 ,  4G075CA25 ,  4G075CA39 ,  4G075CA47 ,  4G075CA65 ,  4G075DA02 ,  4G075DA18 ,  4G075EB01 ,  4G075EB31 ,  4G075EB42 ,  4G075EC21 ,  5F004AA02 ,  5F004AA06 ,  5F004AA16 ,  5F004BA09 ,  5F004BA14 ,  5F004BB07 ,  5F004BB13 ,  5F004BB14 ,  5F004BB22 ,  5F004BC08 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• プラズマエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-329421   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-364072   Applicant：株式会社日立製作所
• プラズマ処理方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-293575   Applicant：株式会社日立製作所

Cited by examiner (3)

• プラズマエッチング装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-329421   Applicant：東京エレクトロン株式会社
• プラズマ処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-364072   Applicant：株式会社日立製作所
• プラズマ処理方法及び装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-293575   Applicant：株式会社日立製作所