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J-GLOBAL ID：200903025404771556

窒化物半導体装置

Inventor：
出口 忠義

About 出口 忠義

, 
中川 敦

About 中川 敦


Applicant, Patent owner：
新日本無線株式会社

About 新日本無線株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006335598
Publication number (International publication number)：2008147552
Application date： Dec. 13, 2006
Publication date： Jun. 26, 2008
Summary：
【課題】 耐圧が高く、且つオン電圧の低い、III-V族窒化物半導体装置を提供する。 【解決手段】 半絶縁性または絶縁性基板上に積層した窒化物半導体からなる第1および第2の窒化物半導体層と、第2の窒化物半導体層よりも低い温度で成膜した第3の窒化物半導体層と、凹部内に露出する第1の窒化物半導体層上にショットキー接合するショットキーバリア高さの低い第1アノード電極と、第1アノード電極に接続し、第3の窒化物半導体層にショットキー接合する第1アノード電極と同一あるいは異なる金属からなり、ショットキーバリア高さの高い第2アノード電極と、第1、第2あるいは第3の窒化物半導体層にオーミック接合するカソード電極とを備える。 【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板上に、ガリウム、アルミニウム、ホウ素及びインジウムからなる群のうち少なくとも1つからなるIII族元素と、窒素、リン及び砒素からなる群のうちの少なくとも窒素を含むV族元素で構成されたIII-V族窒化物半導体層からなる第1のIII-V族窒化物半導体層と、該第1のIII-V族窒化物半導体層上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、アルミニウムを含まない第2のIII-V族窒化物半導体層と、該第2のIII-V族窒化物半導体層上に積層した前記III-V族窒化物半導体層からなり、前記第1及び第2のIII-V族窒化物半導体層よりも成膜温度の低い膜からなる第3のIII-V族窒化物半導体層が順に積層された窒化物半導体装置において、 前記第3及び第2のIII-V族窒化物半導体層の一部を凹状に欠き、該凹部内に露出した前記第1のIII-V族窒化物半導体層にショットキー接合する第1アノード電極と、該第1アノード電極と同一あるいは異なる金属からなり、前記第3のIII-V族窒化物半導体層にショットキー接合すると共に前記第1アノード電極に電気的に接続する第2アノード電極とを備え、 前記第1アノード電極と前記第1のIII-V族窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さが、前記第2アノード電極と前記第3のIII-V族窒化物半導体層との間で形成される接合のショットキーバリアの高さより低いことを特徴とする窒化物半導体装置。
IPC (2)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 D
F-Term (24)：
4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA07 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD08 ,  4M104FF07 ,  4M104FF13 ,  4M104FF27 ,  4M104FF30 ,  4M104GG03 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3)
  • 窒化物半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-052406   Applicant：新日本無線株式会社
  • 窒化物半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-087891   Applicant：新日本無線株式会社
  • ショットキバリアダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-300801   Applicant：住友電気工業株式会社
Cited by examiner (3)
  • 窒化物半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-052406   Applicant：新日本無線株式会社
  • 窒化物半導体装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2005-087891   Applicant：新日本無線株式会社
  • ショットキバリアダイオード
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願2006-300801   Applicant：住友電気工業株式会社

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