ショットキバリアダイオード

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：長谷川芳樹 , 寺崎史朗 , 柴田昌聰 , 近藤伊知良
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006300801
Publication number (International publication number)：2008117979
Application date： Nov. 06, 2006
Publication date： May. 22, 2008
Summary：

【課題】低オン抵抗・高耐圧を有しIII族窒化物半導体を用いるショットキバリアダイオードを提供する。【解決手段】窒化ガリウムフィールドプレート層17は、III族窒化物半導体ドリフト領域13の第1のエリア13bを覆う。窒化ガリウムフィールドプレート層17は、第2のエリア13cに開口19を有する。ショットキ導電部15aは、開口19においてIII族窒化物半導体ドリフト領域13の第2のエリア13cにショットキ接合21を成すことにより、オン抵抗を高くすることがない。オーバーラップ導電部15bは、窒化ガリウムフィールドプレート層17上に設けられる。窒化ガリウム系材料とは異なる材料から成る絶縁物(例えばSiOX、SiN、SiON)とIII族窒化物半導体との界面が形成されない。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

第1のエリアおよび第2のエリアを含む主面を有するIII族窒化物半導体ドリフト領域と、ショットキ導電部およびオーバーラップ導電部を含む電極と、前記III族窒化物半導体ドリフト領域の前記第1のエリアを覆うと共に前記第2のエリアに開口を有する窒化ガリウムフィールドプレート層とを備え、前記ショットキ導電部は、前記窒化ガリウムフィールドプレート層の前記開口において前記III族窒化物半導体ドリフト領域の前記第2のエリアにショットキ接合を成し、前記オーバーラップ導電部は、前記窒化ガリウムフィールドプレート層上に設けられる、ことを特徴とするショットキバリアダイオード。

IPC (2)：

H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (2)：

H01L29/48 F , H01L29/48 D

F-Term (11)：

4M104AA04 , 4M104BB09 , 4M104BB36 , 4M104DD15 , 4M104DD16 , 4M104DD17 , 4M104DD18 , 4M104FF10 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104HH20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

特開平3-004563
エピタキシャル基板および半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2005-005671 Applicant：住友電気工業株式会社
窒化ガリウム半導体素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2006-001122 Applicant：ヴェロックスセミコンダクターコーポレーション

Show all

Cited by examiner (9)

特開平3-004563
特開平3-001563
GaAsショットキーバリアダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-170844 Applicant：株式会社島津製作所

Show all

Return to Previous Page