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J-GLOBAL ID：200903025555601342

金属酸化物半導体ガスセンサ

Inventor：
勝部 昭明

About 勝部 昭明

, 
尾上 公正

About 尾上 公正


Applicant, Patent owner：
ウチヤ・サーモスタット株式会社

About ウチヤ・サーモスタット株式会社


Agent (1)： 三中 英治 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001255541
Publication number (International publication number)：2003065989
Application date： Aug. 27, 2001
Publication date： Mar. 05, 2003
Summary：
【要約】【課題】 センサとしての感度が極めて高いとともに、経時変化などによる影響を受け難い金属酸化物半導体ガスセンサを提供する。【解決手段】 基板10上に電極15を形成し、その後、基板を載置するための断熱板22を内蔵した減圧タンク21および減圧タンクに接続され且つ粉末導入プローブ26と高周波コイル25とを具備したプラズマトーチ24からなる誘導プラズマ溶射装置20を用い、基板を断熱板上に載置し、粉末導入プローブの基板側先端と基板との間隔を1,000mm以下に設定し、減圧タンクを減圧するとともに高周波コイルにより高周波誘導プラズマを発生させつつ、粉末導入プローブから金属酸化物粉末を供給して、基板表面に粒径の大きい大粒部および大粒部の周面に形成された多数の小粒部からなる金属酸化物を堆積させた金属酸化物半導体ガスセンサ得る。
Claim (excerpt)：
基板上に金属酸化物を形成した半導体ガスセンサにおいて、前記金属酸化物は粒径の大きい大粒部および該大粒部の周面に形成された多数の小粒部からなることを特徴とする金属酸化物半導体ガスセンサ。
FI (2)：
G01N 27/12 B ,  G01N 27/12 M
F-Term (12)：
2G046BA01 ,  2G046BA09 ,  2G046EA02 ,  2G046EA04 ,  2G046EA07 ,  2G046FB02 ,  2G046FE18 ,  2G046FE29 ,  2G046FE31 ,  2G046FE36 ,  2G046FE39 ,  2G046FE49
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
  • 温・湿度セラミックセンサとその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-156168   Applicant：沖猛雄, 静岡県, 村田ボーリング技研株式会社, 日本ベーレー株式会社
  • 特開昭58-131551
  • ガスセンサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-242718   Applicant：株式会社リコー, リコー精器株式会社
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Cited by examiner (8)
  • 厚膜ガスセンサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-227662   Applicant：富士電機株式会社
  • 温・湿度セラミックセンサとその製造方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-156168   Applicant：沖猛雄, 静岡県, 村田ボーリング技研株式会社, 日本ベーレー株式会社
  • 薄膜ガスセンサ
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-096952   Applicant：富士電機株式会社
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