窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997177703
Publication number (International publication number)：1999008407
Application date： Jun. 17, 1997
Publication date： Jan. 12, 1999
Summary：

【要約】【課題】有機金属化合物気相成長法(MOVPE) により所望の波長に対応した最適な成長条件にてGaN 系化合物半導体素子を製造し、高光強度の素子を得ること。【解決手段】GaN系化合物半導体(In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N;0<X<1)から成る活性層を有した素子では、出力光の波長λは活性層におけるInの組成比、即ち MOVPE法での供給ガスの(トリメチルインジウム+トリメチルガリウム)に対するトリメチルインジウムのモル比Xvによって定まり、さらに良好な結晶性を得て光強度を得るためには最適な結晶成長温度T が要求される。所定レベル以上の有効な光強度を得るための波長λとモル比Xvと成長温度T との関係を示す図3上に所望の波長の線を横軸に平行に引き、この線と特性図の境界との交点の座標を用いることで容易に最適な結晶成長条件を決定でき、この条件で活性層を成長させることにより結晶性が向上し、高光強度を有した所望の波長を得ることができる。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系化合物半導体(In<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N;0<X<1)から成る活性層を有した素子の有機金属気相成長法を用いた製造方法であって、出力又は入力可能な光強度の供給されるInを含むガスのモル比と結晶成長温度と波長とに関する特性図に基づいて、所望の波長及び所望の光強度を得るように最適な前記モル比と前記結晶成長温度とを決定し、その条件により前記活性層を結晶成長させることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

3族窒化物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-209183 Applicant：豊田合成株式会社
窒化インジウムガリウム半導体およびその成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-106554 Applicant：日亜化学工業株式会社
窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-106557 Applicant：日亜化学工業株式会社

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