Pat
J-GLOBAL ID：200903025614502280

張り合わせ用シリコンウェーハおよび張り合わせ基板の製造方法

Inventor：
大井 浩之

About 大井 浩之


Applicant, Patent owner：
三菱マテリアルシリコン株式会社

About 三菱マテリアルシリコン株式会社


Agent (1)： 安倍 逸郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999125335
Publication number (International publication number)：2000315634
Application date： Apr. 30, 1999
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：
【要約】【課題】 ボイドの少ない強固な張り合わせを行うことができる張り合わせ基板の製造方法を提供する。【解決手段】 2枚のシリコンウェーハ11,12をHF洗浄後、純水でリンス、SC1洗浄、水洗・乾燥する。HF洗浄により酸化膜が除去され、ウェーハ表面が疎水性となる。SC1洗浄時、表面層がエッチングされ、OH基で終端される。結果、ウェーハ表面ではSiOH結合の被覆率θが40%以上となる。室温での張り合わせ後、張り合わせ基板13をドライ酸素雰囲気で熱処理する。温度は1200〜1280°C、時間は60分とする。熱処理時、ウェーハ表面の40%以上ではSi原子がOH基で終端され、熱処理温度は1200〜1280°Cとなる。結果、ボイドの少ないウェーハ11,12同士の張り合わせとなる。
Claim (excerpt)：
鏡面研磨されたシリコンウェーハであって、SiOH結合の被覆率がそのシリコンウェーハの表面の40%以上である張り合わせ用シリコンウェーハ。
IPC (4)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/304 647 ,  H01L 21/76
FI (4)：
H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 622 W ,  H01L 21/304 647 Z ,  H01L 21/76 N
F-Term (3)：
5F032AA06 ,  5F032DA71 ,  5F032DA74
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM