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J-GLOBAL ID:200903044547154102
プラズマ処理装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
青山 葆 (外3名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002072588
Publication number (International publication number):2003273083
Application date: Mar. 15, 2002
Publication date: Sep. 26, 2003
Summary:
【要約】【課題】 基板に対して均一な処理を行うことができる、プラズマ処理装置を提供する。【解決手段】 プラズマ処理装置は、基板25が収容された真空容器30の内部空間である真空処理室34にガスを導入すると共に排出しつつプラズマ75を発生させ、このプラズマ75により基板25を処理する。真空処理室34は球状である。
Claim (excerpt):
基板が収容される真空容器の内部空間である真空処理室にガスを導入すると共に排出しつつ高周波電力を印加してプラズマを発生させ、このプラズマにより基板を処理するプラズマ処理装置であって、上記真空処理室が上半球部と下半球部とを備える球状であることを特徴とする、プラズマ処理装置。
IPC (2):
H01L 21/3065
, C23C 16/505
FI (2):
C23C 16/505
, H01L 21/302 101 C
F-Term (14):
4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030EA11
, 4K030FA01
, 4K030GA04
, 4K030KA01
, 4K030KA30
, 5F004AA01
, 5F004AA15
, 5F004BA20
, 5F004BB18
, 5F004BB28
, 5F004BC02
, 5F004BD03
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (7)
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特開平2-267290
-
半導体製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-088279
Applicant:株式会社日立製作所
-
乾式被覆装置の容器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-164953
Applicant:株式会社不二越
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