III-V族化合物半導体単結晶基板

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (6)：深見久郎 , 森田俊雄 , 仲村義平 , 堀井豊 , 野田久登 , 酒井將行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005014587
Publication number (International publication number)：2006203071
Application date： Jan. 21, 2005
Publication date： Aug. 03, 2006
Summary：

【課題】従来の標準仕様に比べて薄くても周縁断面形状を適切に選ぶことによって割れや欠けの危険性が低減されたIII-V族化合物半導体単結晶基板を提供する。【解決手段】直径D(mm)と厚さt(mm)を有するIII-V族化合物半導体単結晶基板は、(1/1000)D+0.2(mm)≦t≦(1/1000)D+0.4(mm)の関係を満たし、かつ基板の周縁に直交する断面において、表外縁部のエッジラウンドの曲率半径Rf(mm)と裏外縁部のエッジラウンドの曲率半径Rb(mm)とのいずれもが0.08(mm)≦(Rf,Rb)≦0.4t(mm)の関係を満たすことを特徴としている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

直径D(mm)と厚さt(mm)を有するIII-V族化合物半導体単結晶基板であって、 (1/1000)D+0.2(mm)≦t≦(1/1000)D+0.4(mm)の関係を満たし、かつ前記基板の周縁に直交する断面において、表外縁部のエッジラウンドの曲率半径Rf(mm)と裏外縁部のエッジラウンドの曲率半径Rb(mm)とのいずれもが 0.08(mm)≦(Rf,Rb)≦0.4t(mm) の関係を満たすことを特徴とするIII-V族化合物半導体単結晶基板。

IPC (1)：

H01L 21/02

FI (1)：

H01L21/02 B

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特許第3368799号公報
半導体基板の製造方法及びその製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-008565 Applicant：沖電気工業株式会社

Cited by examiner (5)

III-V族化合物半導体ウエハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-297082 Applicant：住友電気工業株式会社
半導体ウェハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-191496 Applicant：日立電線株式会社
III-V族化合物半導体ウェハ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-132033 Applicant：住友電気工業株式会社

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