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J-GLOBAL ID：200903025982525339

SiO2系セラミックス膜の形成方法

Inventor：
山田 一博

About 山田 一博

, 
舟山 徹

About 舟山 徹


Applicant, Patent owner：
東燃株式会社

About 東燃株式会社


Agent (1)： 石田 敬 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997080587
Publication number (International publication number)：1998279362
Application date： Mar. 31, 1997
Publication date： Oct. 20, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ポリシラザン由来のセラミックス膜の製造工程を改良すること。【解決手段】 ポリシラザンを含む塗膜を基材表面に形成し、前記塗膜をセラミックス化処理して実質的にSiO2 からなるセラミックス膜を形成する方法において、前記セラミックス化に要する温度を低下せしめる工程及び前記塗膜に紫外線を照射する工程を含むことを特徴とする方法。
Claim (excerpt)：
ポリシラザンを含む塗膜を基材表面に形成し、前記塗膜をセラミックス化処理して実質的にSiO2 からなるセラミックス膜を形成する方法において、前記セラミックス化に要する温度を低下せしめる工程及び前記塗膜に紫外線を照射する工程を含むことを特徴とする方法。
IPC (4)：
C04B 35/589 ,  B05D 7/24 302 ,  C08J 7/04 ,  C09D183/16
FI (5)：
C04B 35/58 102 N ,  B05D 7/24 302 Y ,  C08J 7/04 M ,  C08J 7/04 Q ,  C09D183/16
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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