二次元画像検出器およびその製造方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：原謙三
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998133986
Publication number (International publication number)：1999274448
Application date： May. 15, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】光導電性を有する半導体層の材料にCdTeやCdZnTe等を使用することで、応答性が良く、さらに動画像にも対応できる二次元画像検出器およびその製造方法を提供する。【解決手段】電荷蓄積容量4およびTFT5を具備したアクティブマトリクス基板1と、半導体基板18を備えた対向基板2とを、異方導電性接着剤3を用いて接着する。これにより、上記TFT5が既に形成されているアクティブマトリクス基板1上に半導体層を成膜せずに済むため、CdTeやCdZnTe等の使用が可能となる。

Claim (excerpt)：

格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた複数のスイッチング素子と、該スイッチング素子を介して上記電極配線に接続される画素電極を含む電荷蓄積容量とからなる画素配列層と、上記画素配列層のほぼ全面に対向して形成される電極部と、上記画素配列層および電極部の間に形成され、光導電性を有する半導体層とを備えている二次元画像検出器において、上記画素配列層を含むアクティブマトリクス基板と、上記電極部および半導体層を含む対向基板とを備えており、上記アクティブマトリクス基板の画素配列層と、上記対向基板の半導体層とが対向するように両基板が配置されると共に、上記両基板は、画素配列層および半導体層の対向面の法線方向にのみ導電性を有する異方導電性材料によって接続されていることを特徴とする二次元画像検出器。

IPC (4)：

H01L 27/14 , G01T 1/00 , G01T 1/24 , H01L 31/09

FI (4)：

H01L 27/14 K , G01T 1/00 B , G01T 1/24 , H01L 31/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ソリッド・ステート・デバイスを用いたX線イメージ捕獲エレメントおよび方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-316975 Applicant：イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー
X線撮像装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-133316 Applicant：松下電器産業株式会社
光電変換装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-037922 Applicant：株式会社東芝

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