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J-GLOBAL ID：200903026167524650

基質表面におけるカーボンナノチューブの低温直接合成法

Inventor：
▲黄▼ 建 良

About ▲黄▼ 建 良

, 
丁 傑

About 丁 傑

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江 日 舜

About 江 日 舜

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莊 銓

About 莊 銓


Applicant, Patent owner：
財団法人工業技術研究院

About 財団法人工業技術研究院


Agent (1)： 八田 幹雄 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002289670
Publication number (International publication number)：2003277034
Application date： Oct. 02, 2002
Publication date： Oct. 02, 2003
Summary：
【要約】【課題】 基質表面におけるカーボンナノチューブの低温直接合成法【解決手段】 本発明は、三つの金属層を持つ基質の表面に低温熱化学蒸着法によりカーボンナノチューブを直接成長させ、電界放出ディスプレーの電子放出源として使うことに関わっている。この三つの金属層は、基質の上に厚い金属担体層と、その上の金属触媒層及び金属被覆層からなる。金属触媒は鉄、コバルト、ニッケルやこれらの合金であり、金属担体層と金属被覆層は金、銀、銅、パラジウム、白金やこれらの合金である。三つの金属層は真空スパッタリング法、化学蒸着法、物理蒸着法、スクリーンプリント法や電気メッキで形成することができる。
Claim (excerpt)：
A)基材に金属担体層を形成し、B)該金属担体層に金属触媒層を形成し、C)該金属触媒層に金属被覆層を形成し、D)熱化学蒸着法により炭素源ガスを用い、基材の該金属担体層、該金属触媒層、該金属被覆層を有する面にカーボンナノチューブを成長させるプロセスを有し、該金属担体層と該金属被覆層との厚みは、それぞれ0.1〜50μmであるが、該金属担体層は該金属被覆層より厚く、該金属担体層は貴金属を含み、該金属被覆層は貴金属を含み、該金属触媒層には鉄、コバルト、ニッケル及びこれらの金属の合金からなる金属を含むことを特徴とする基材におけるカーボンナノチューブの低温直接合成法。
IPC (5)：
C01B 31/02 101 ,  B82B 3/00 ,  C23C 14/14 ZNM ,  C23C 16/26 ,  H01J 9/02
FI (5)：
C01B 31/02 101 F ,  B82B 3/00 ,  C23C 14/14 ZNM G ,  C23C 16/26 ,  H01J 9/02 B
F-Term (45)：
4G146AA11 ,  4G146AB05 ,  4G146AD29 ,  4G146BA12 ,  4G146BB23 ,  4G146BC03 ,  4G146BC09 ,  4G146BC25 ,  4G146BC44 ,  4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA02 ,  4K029BA04 ,  4K029BA05 ,  4K029BA06 ,  4K029BA08 ,  4K029BA09 ,  4K029BA12 ,  4K029BA13 ,  4K029BB02 ,  4K029BD00 ,  4K029CA05 ,  4K030AA09 ,  4K030BA01 ,  4K030BA05 ,  4K030BA07 ,  4K030BA14 ,  4K030BA27 ,  4K030BB12 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  5C127BA09 ,  5C127BA13 ,  5C127BA15 ,  5C127BB07 ,  5C127CC03 ,  5C127CC10 ,  5C127DD07 ,  5C127DD12 ,  5C127DD13 ,  5C127DD18 ,  5C127DD19 ,  5C127DD25 ,  5C127EE15
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
  • 欧州特許第1061041A1号明細書
  • 欧州特許第1061043A1号明細書
Cited by examiner (8)
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