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J-GLOBAL ID：200903009050002228
カーボンナノチューブを用いた3極電界放出素子の製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
磯野 道造
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001001103
Publication number (International publication number)：2001236879
Application date： Jan. 09, 2001
Publication date： Aug. 31, 2001
Summary：
【要約】【課題】 電子放出特性に優れたカーボンナノチューブを用いた3極電界放出素子の製造方法を提供する。【解決手段】 陰極2上にベース層を形成したりまたはしない状態で触媒層9を形成し、スピント法で触媒層上にカーボンナノチューブ10を成長させる方法であって、マイクロキャビティー6の外部の触媒層9’上には非反応層77を形成してマイクロキャビティー6の内部の触媒層9上にだけカーボンナノチューブ10を成長させることによって、分離層7を蝕刻して除去する場合にも外部のカーボンナノチューブ10が存在しないことによりカーボンナノチューブ10がマイクロキャビティー6内に流れ込むことはない。これにより、生産収率が高まると同時に生産コストが低くなる長所がある。
Claim (excerpt)：
(a)背面ガラス基板の上に陰極、絶縁層及びゲートが順に形成され、前記ゲートには開口部が形成され、この開口部の前記絶縁層にはマイクロキャビティーが形成され、このような構造を有する前記ゲートの上に傾斜蒸着を行なって分離層を形成する段階と、(b)前記マイクロキャビティー内の陰極の上にカーボンナノチューブを成長させる際に触媒の役割を果たす触媒層を形成する段階と、(c)前記触媒層の上に傾斜蒸着を行なうとともに、前記マイクロキャビティー内の所定部分の触媒層を除去し、前記触媒層を除去した残りの部分の触媒層にカーボンナノチューブが形成されない部分である非反応層を形成する段階と、(d)前記マイクロキャビティー内の所定部分の触媒層を除去した後に残留してなる触媒層の上にカーボンナノチューブを成長させる段階と、(e)前記分離層を除去する段階とを含むことを特徴とするカーボンナノチューブを用いた3極電界放出素子の製造方法。
IPC (4)：
H01J 9/02
, C01B 31/02 101
, C23C 14/06
, H01J 1/304
H01J 9/02 B
, C01B 31/02 101 F
, C23C 14/06 N
, H01J 1/30 F
Cited by examiner (5)
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