半導体装置の製造方法及び実装方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998295496
Publication number (International publication number)：2000124164
Application date： Oct. 16, 1998
Publication date： Apr. 28, 2000
Summary：

【要約】【課題】半導体装置の製造効率、及び半導体装置の信頼性向上を図り得る半導体装置の製造方法及び実装方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、外部電極と接続するためのバンプ電極3が配設された複数の半導体チップ2が形成されている半導体ウエハ1において、各半導体チップ2間に空隙を形成する分離工程1と、ダイシングテープ4上に各半導体チップ2を装着したまま、上記空隙、半導体チップ2面及びバンプ電極3間に封止樹脂6を供給して封止する樹脂封止工程と、半導体チップ2間の封止樹脂6とダイシングテープ4とを同時に切断して個々の樹脂封止された半導体チップ7に分離する分離工程2とを具備する。また、このように製造された半導体装置のバンプ電極3を実装基板8に押し付け、加熱することによって実装する。

Claim (excerpt)：

複数の半導体チップが形成され、この半導体チップそれぞれにバンプ電極が配設され、このバンプ電極が配設された面と反対側の面にダイシングテープを装備している半導体ウエハの各半導体チップ間に、上記ダイシングテープは切断しないで、分離する空隙を形成する分離工程1と、上記各半導体チップがテープ上に装着されたまま、半導体チップのバンプ電極面と各半導体チップ間の空隙に封止樹脂を供給してバンプ電極面と半導体チップ端面を同時に封止し樹脂層を形成する樹脂封止工程と、上記樹脂層の反応を進める樹脂反応促進工程と、各半導体チップ間で切断して個々の樹脂封止された半導体チップに分離する分離工程2とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

FI (2)：

H01L 21/78 Q , H01L 21/78 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ICパッケージおよびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-203525 Applicant：日本電装株式会社
半導体装置の製造方法及び半導体装置製造用金型及び半導体装置及びその実装方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-010683 Applicant：富士通株式会社, 富士通オートメーション株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-211207 Applicant：ソニー株式会社

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