半導体装置及びその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：小川勝男 , 田中恭助 , 佐々木孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003105376
Publication number (International publication number)：2004047952
Application date： Apr. 09, 2003
Publication date： Feb. 12, 2004
Summary：

【課題】ウエハの周辺部からの発塵という課題を回避可能にした半導体装置及びその製造方法を実現する。【解決手段】ウエハの周端部からの発塵を防止するために、成膜された半導体膜4における少なくとも裏面全面および周端部を薬液によりその下の絶縁膜3に対して高エッチングレートで除去して表面の集積回路パターン領域に半導体膜4を形成した半導体装置100を実現する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板と、該半導体基板上の裏面全面および周端部を含む周辺部に形成された絶縁膜と、該絶縁膜の周辺部を除く表面領域に形成された半導体膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7)：

H01L21/306 , H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/8242 , H01L21/8249 , H01L27/06 , H01L27/108

FI (6)：

H01L21/306 R , H01L21/02 B , H01L21/205 , H01L27/06 321A , H01L27/10 625C , H01L27/10 651

F-Term (36)：

5F043AA09 , 5F043AA10 , 5F043BB02 , 5F043BB03 , 5F043EE07 , 5F043EE08 , 5F043GG10 , 5F045AB02 , 5F045AB03 , 5F045AB32 , 5F045AB33 , 5F045AB39 , 5F045BB15 , 5F045CA05 , 5F045GH10 , 5F045HA14 , 5F048AA07 , 5F048AB01 , 5F048AC05 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA12 , 5F048BB05 , 5F048BC06 , 5F048CA01 , 5F048CA07 , 5F048CA12 , 5F048CA14 , 5F048DA25 , 5F083AD18 , 5F083AD60 , 5F083HA01 , 5F083JA04 , 5F083NA02 , 5F083PR05 , 5F083PR21

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

貼り合わせSOI基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-164337 Applicant：住友シチックス株式会社
SOI基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-254424 Applicant：コマツ電子金属株式会社
特開昭62-128520

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