SOI基板の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：衞藤彰
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995254424
Publication number (International publication number)：1997064321
Application date： Aug. 24, 1995
Publication date： Mar. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】周縁部の欠陥がなく、且つ製造効率を著しく向上させることができるSOI基板の製造方法を提供する。【解決手段】活性基板1と支持基板2を貼り合わせ貼合せウェハ4を得る。活性基板1を平面研削する。スピンエッチングにより活性基板1をエッチングする。PACE加工により活性基板1を薄膜化と当時に、貼合せウェハ4の周縁部の未接着部分を除去する。

Claim (excerpt)：

活性基板となる半導体ウェハと支持基板となる半導体ウェハを貼り合わせた貼合せウェハを、PACE加工することにより活性基板を薄膜化して得られるSOI基板の製造方法において、貼合せウェハ周縁部の未接着部分の除去をPACE加工により行うことを特徴とするSOI基板の製造方法。

IPC (6)：

H01L 27/12 , H01L 21/02 , H01L 21/304 321 , H01L 21/306 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 27/12 B , H01L 21/02 B , H01L 21/304 321 S , H01L 21/306 B , H01L 29/78 627 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (10)

特開平4-163907
エッチング装置および半導体基板の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-003672 Applicant：株式会社日立製作所
SOI基板におけるSOI膜厚均一化方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-138845 Applicant：信越半導体株式会社

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