プラズマ処理装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：金本哲男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995174367
Publication number (International publication number)：1997008010
Application date： Jun. 16, 1995
Publication date： Jan. 10, 1997
Summary：

【要約】【目的】プラズマ密度の均一性を確保しつつしかもプラズマの拡散を抑制して高いプラズマ密度を確保できるプラズマ処理装置を得る。【構成】処理容器3内にサセプタ6と上部電極32とを対向して設け、サセプタ6には第1の高周波電源41から相対的に低い周波数の高周波電力を印加し、上部電極32には第2の高周波電源44から相対的に高い周波数の高周波電力を印加する。処理容器3の外周に、絶縁体51を介して環状のアンテナ52を配置し、第3の高周波電源からの高周波電力をアンテナ52に印加させる。アンテナ52によってサセプタ6と上部電極32の対向空間の周囲に変動磁場Bが形成され、プラズマの拡散が抑制されのでプラズマ密度は高い。この高密度プラズマ中のイオンは相対的に低い周波数の高周波によって、ウエハWへの入射エネルギーがコントロールされる。

Claim (excerpt)：

2つの電極を処理容器内に対向配置し、この処理容器内にプラズマを発生させて、前記電極のうちの一方の電極上の被処理体に対してプラズマ処理を施す処理装置であって、前記一方の電極は相対的に低い周波数の高周波電力を出力する第1の高周波電源と接続され、他方の電極は相対的に高い周波数の高周波電力を出力する第2の高周波電源と接続され、さらに高周波電力の印加によって、前記処理容器内の対向電極間領域の周囲に変動磁界を発生させて前記プラズマを閉じこめるアンテナを備えたことを特徴とする、プラズマ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00 , H01L 21/203 , H01L 21/205

FI (5)：

H01L 21/302 C , C23F 4/00 G , H01L 21/203 S , H01L 21/205 , H01L 21/302 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開平2-224239
電磁RF結合を用いたプラズマ反応装置及びその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-340841 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
プラズマ処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-346196 Applicant：東京エレクトロン株式会社

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