半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000122018
Publication number (International publication number)：2001015753
Application date： Apr. 24, 2000
Publication date： Jan. 19, 2001
Summary：

【要約】【課題】ゲート絶縁膜としてシリコン酸窒化膜、ゲート電極として導電性を有する多結晶シリコン膜を用いたMOSトランジスタの製造方法において、ゲート電極の下端部における電界を後酸化によって十分に緩和すること。【解決手段】オゾンを含む酸化種を用いた後酸化によって、ゲート電極3の下端部の形状を十分に丸める。

Claim (excerpt)：

主面を有する半導体基板であって、前記主面は、第1の領域およびそれよりも表面が低い第2の領域を有し、かつ前記第1の領域と前記第2の領域は繋がっている半導体基板と、前記第1の領域上に形成され、シリコン、窒素および酸素を含む第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に形成され、シリコンを含む導電膜と、前記第2の領域上に形成され、シリコンおよび酸素を含み、前記導電膜および前記第1の絶縁膜とコンタクトする第2の絶縁膜とを具備してなることを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/28 , H01L 21/318 , H01L 27/115 , H01L 21/8247 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (6)：

H01L 29/78 301 Y , H01L 21/28 F , H01L 21/318 C , H01L 27/10 434 , H01L 29/78 301 F , H01L 29/78 371

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-052147 Applicant：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-327290 Applicant：株式会社東芝
半導体装置とその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-028132 Applicant：ヤマハ株式会社

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