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J-GLOBAL ID：200903055142436960
ゲート絶縁膜形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
青山 葆 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996183738
Publication number (International publication number)：1998032328
Application date： Jul. 12, 1996
Publication date： Feb. 03, 1998
Summary：
【要約】【課題】 ゲート絶縁膜の膜厚バラツキを抑え、ゲート絶縁膜の絶縁破壊耐圧の低下を防止できるゲート絶縁膜形成方法を提供する。【解決手段】 不活性ガスからなる雰囲気中で、ウェーハ1のシリコン表面1aを洗浄して清浄かつ自然酸化膜の無い状態にする(工程(a))。ウェーハ1を大気に曝すことなく、雰囲気を窒素を含まない酸化性ガスに置換し、この雰囲気中でウェーハ1を加熱して、シリコン表面1aに第1のシリコン酸化膜2を形成する(工程(b))。雰囲気を窒素を含む酸化性ガスに置換し、この雰囲気中でウェーハ1を加熱して、第1のシリコン酸化膜2と下地のシリコン1との間に第1の酸窒化膜3を形成する(工程(c))。この後、再酸化を行って、第1の酸窒化膜3と下地のシリコン1との間に第2のシリコン酸化膜4を形成する(工程(d))。
Claim (excerpt)：
不活性ガスからなる雰囲気中で、ウェーハのシリコンからなる表面を洗浄して清浄かつ自然酸化膜の無い状態にする工程(a)と、上記ウェーハを大気に曝すことなく上記雰囲気を窒素を含まない酸化性ガスに置換し、この雰囲気中で上記ウェーハを加熱して、上記シリコンからなる表面に第1のシリコン酸化膜を形成する工程(b)と、上記雰囲気を窒素を含む酸化性ガスに置換し、この雰囲気中で上記ウェーハを加熱して、上記第1のシリコン酸化膜と下地のシリコンとの間に第1の酸窒化膜を形成する工程(c)と、上記雰囲気を窒素を含まない酸化性ガスに置換し、この雰囲気中で上記ウェーハを加熱して、上記第1の酸窒化膜と下地のシリコンとの間に第2のシリコン酸化膜を形成する工程(d)とを有することを特徴とするゲート絶縁膜形成方法。
IPC (3)：
H01L 29/78
, H01L 21/316
, H01L 21/318
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/316 S
, H01L 21/318 C
Cited by examiner (3)
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ゲート絶縁膜の形成方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-032302
Applicant：セイコー電子工業株式会社
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半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-317232
Applicant：株式会社東芝
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シリコン酸化膜の作製方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平5-231944
Applicant：富士通株式会社
Article cited by the Patent：
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