磁電変換素子の製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：谷義一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999123665
Publication number (International publication number)：2000315830
Application date： Apr. 30, 1999
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】磁電変換素子を極めて容易に短時間で作業性の優れた連続方法で製造することを可能とする。【解決手段】基板が磁性体の磁電変換素子用ペレットを、リードフレームに接続する工程を備える磁電変換素子の製造方法は、複数の半導体素子を形成したウエハの裏面に樹脂層を設ける工程と、樹脂層を設けたウエハをダイシングして個別の磁電変換素子用ペレットにする工程と、磁電変換素子用ペレットを、樹脂層を介してリードフレームに固着する工程と、磁電変換素子用ペレット上の電極をリードフレームと結線する工程とを具え、該樹脂層が厚み1〜50μmであり、前記樹脂層の樹脂がガラス転移点60〜160°C、接着活性温度170〜350°C、および熱伝導率0.2〜3.5W/m/°Cを有している。

Claim (excerpt)：

基板が磁性体の磁電変換素子用ペレットを、リードフレームに接続する工程を備える磁電変換素子の製造方法であって、複数の半導体素子が一括して形成されたウエハの裏面に樹脂層を設ける工程と、前記樹脂層を設けたウエハをダイシングして個別の磁電変換素子用ペレットにする工程と、前記磁電変換素子用ペレットを、前記樹脂層を介してリードフレームに固着する工程と、前記磁電変換素子用ペレット上の電極をリードフレームと結線する工程と、を備え、前記樹脂層が厚み1〜50μmであり、前記樹脂層の樹脂がガラス転移点60〜160°C、接着活性温度170〜350°C、および熱伝導率0.2〜3.5W/m/°Cを有することを特徴とする磁電変換素子の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

小型ホール素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-205940 Applicant：旭化成電子株式会社
特開昭62-260374
支持基板、支持基板の製造方法、電子部品装置及び支持基板の表面処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-087110 Applicant：日立化成工業株式会社

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