半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：柏谷昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995061213
Publication number (International publication number)：1996264480
Application date： Mar. 20, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体装置の製造方法に関し、適切な研摩剤を用いることに依り、埋め込み型電極・配線を形成した半導体装置中にアルカリ金属が入ることを防止しようとする。【構成】層間絶縁膜16或いは19に例えばソース電極コンタクト・ホール及びゲート電極コンタクト・ホール、或いは、例えばソース配線形成用溝及びゲート配線形成用溝を形成し、前記電極コンタクト・ホール或いは溝を埋め且つ覆うW膜を形成し、例えば砥粒:Al2 O3 +添加剤:フタルアミド+溶媒:水からなる研磨剤を用い、W膜を研磨してソース電極18S或いはゲート・コンタクト電極18G或いはソース配線21S或いはゲート・コンタクト配線21Gを形成する。

Claim (excerpt)：

絶縁膜に電極或いは配線を埋め込む電極コンタクト・ホール或いは溝を形成する工程と、次いで、前記電極コンタクト・ホール或いは溝を埋め且つ覆う電極材料膜或いは配線材料膜を形成する工程と、次いで、アルカリ金属を含まない研磨剤を用いて前記電極材料膜或いは配線材料膜を研磨して前記電極コンタクト・ホール内或いは溝内に在るものを埋め込み電極或いは埋め込み配線として残すように他を除去する工程とが含まれてなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/28 , H01L 21/28 301 , H01L 21/304 321 , H01L 21/3205 , C09K 3/14 550

FI (8)：

H01L 21/28 H , H01L 21/28 301 R , H01L 21/28 301 L , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/304 321 P , C09K 3/14 550 Z , H01L 21/88 M , H01L 21/88 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ポリッシング方法及び金属配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-276866 Applicant：日本電気株式会社
銅系金属用研磨液および半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-263613 Applicant：株式会社東芝
配線の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-193899 Applicant：住友金属工業株式会社

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