炭化珪素半導体装置及びその製造方法

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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：伊藤洋二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999294469
Publication number (International publication number)：2000188399
Application date： Oct. 15, 1999
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】不純物の外部拡散を抑制し、ソース電極と接続されるソース領域のコンタクト抵抗が高くならないようにする。【解決手段】 n+ 型ソース領域4のうち、ソース電極10に接続される上面より所定深さ深くなった位置に、窒素をドーパントとする領域4aを形成し、領域4bよりも浅くソース電極に接触する位置に窒素よりも質量の大きなリンをドーパントとする領域4bを形成する。窒素よりも質量の大きなリンは、質量が重い分だけ拡散速度が遅くなり、窒素に比して外部拡散しにくくなる。これにより、n+ 型ソース領域4のうち、ソース電極10と接触する部分における外部拡散を少なくでき、n+ 型ソース領域4のコンタクト抵抗が高くならないようにできる。

Claim (excerpt)：

炭化珪素よりなる第1導電型の半導体基板(1)の主表面上に、この半導体基板よりも高抵抗な炭化珪素よりなる第1導電型の半導体層(2)を形成する工程と、前記半導体層の表層部の所定領域に第2導電型のベース領域(3)を形成する工程と、前記ベース領域の表層部の所定領域に、前記ベース領域の深さよりも浅い第1導電型のソース領域(4)を形成する工程と、前記ソース領域と前記半導体層とに挟まれた前記ベース領域の上に、ゲート絶縁膜(7)を介してゲート電極(8)を形成する工程と、前記ベース領域及び前記ソース領域に接触するソース電極(10)を形成する工程と、前記半導体基板にドレイン電極(11)を形成する工程とを備え、前記ソース領域を形成する工程は、該ソース領域のうち、前記ソース電極に接触する上面より所定深さ深くなった位置に第1ドーパントを含む第1ソース領域(4a)を形成する工程と、前記第1のソース領域よりも浅く、該第1のソース領域と重なり部を有し、前記ソース電極と接触する位置に前記第1ドーパントよりも質量の大きな第2ドーパントを含む第2ソース領域(4b)を形成する工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/265 , H01L 21/336

FI (5)：

H01L 29/78 652 B , H01L 21/265 F , H01L 29/78 301 S , H01L 29/78 652 T , H01L 29/78 658 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開平2-172281
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-197552 Applicant：三菱電機株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-038846 Applicant：川崎製鉄株式会社

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Article cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

``Phosphorus and boron implantation in 6H-SiC''

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