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J-GLOBAL ID:200903026716798636

半導体装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 岡本 啓三
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000310689
Publication number (International publication number):2002118226
Application date: Oct. 11, 2000
Publication date: Apr. 19, 2002
Summary:
【要約】【課題】 従来よりも厚みが薄く、且つ半導体素子と配線基板との電気的な接続信頼性が向上された半導体装置、及び、それを従来よりも少ない工程数で製造することができる製造方法を提供すること【解決手段】 スタッドバンプ用スルーホール202a(貫通孔)が形成されたポリイミドフィルム202(絶縁性の樹脂フィルム)と、このポリイミドフィルム202の一方の面に形成され、少なくとも該一方の面におけるスタッドバンプ用スルーホール202aの開口部を覆う配線パターン203と、この配線パターン203上にフリップチップ接続された第1の半導体素子206と、上記スタッドバンプ用スルーホール202aを介して配線パターン203と電気的に接続するように、ポリイミドフィルム202の他方の面側にフリップチップ接続された第2の半導体素子209と、はんだバンプ205(外部接続端子)とを備えたことを特徴とする半導体装置201による。
Claim (excerpt):
貫通孔が形成された絶縁性の樹脂フィルムと、前記樹脂フィルムの一方の面に形成され、少なくとも該一方の面における前記貫通孔の開口部を覆う配線パターンと、前記配線パターンと電気的に接続するように、該配線パターン上にフリップチップ接続された第1の半導体素子と、前記貫通孔を介して前記配線パターンと電気的に接続するように、前記樹脂フィルムの他方の面側にフリップチップ接続された第2の半導体素子と、前記配線パターンと電気的に接続された外部接続端子とを備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3):
H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)

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