強誘電体膜、強誘電体メモリ、及び圧電素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (3)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004012160
Publication number (International publication number)：2005209722
Application date： Jan. 20, 2004
Publication date： Aug. 04, 2005
Summary：

【課題】信頼性の高い強誘電体デバイスを得ることができる強誘電体膜を提供する。【解決手段】 ABO3で表されるペロブスカイト構造強誘電体からなる強誘電体膜であって、Aサイト添加イオンとしてSi2+、Ge2+、およびSn2+のうち少なくとも1種以上を含み、Bサイト添加イオンとして少なくともNb5+を含む。【選択図】なし

Claim (excerpt)：

ABO3で表されるペロブスカイト構造強誘電体からなる強誘電体膜であって、 AサイトにAサイト補償イオンとしてSi2+、Ge2+、およびSn2+のうち少なくとも1種以上を含み、 BサイトにBサイト補償イオンとしてNb5+を含むことを特徴とする強誘電体膜。

IPC (7)：

H01L41/09 , B41J2/045 , B41J2/055 , C04B35/49 , H01B3/12 , H01L27/105 , H01L41/187

FI (8)：

H01L41/08 C , C04B35/49 Z , H01B3/12 301 , H01L27/10 444B , H01L27/10 444C , H01L27/10 444Z , H01L41/18 101D , B41J3/04 103A

F-Term (45)：

2C057AF93 , 2C057AP14 , 2C057AQ02 , 2C057BA03 , 2C057BA14 , 4G031AA11 , 4G031AA12 , 4G031AA14 , 4G031AA27 , 4G031AA30 , 4G031AA31 , 4G031AA32 , 4G031BA09 , 4G031BA10 , 4G031CA01 , 4G031CA02 , 4G031CA08 , 4G031GA02 , 4G031GA09 , 4G031GA11 , 4G031GA16 , 4G031GA17 , 5F083FR01 , 5F083FR02 , 5F083GA06 , 5F083GA21 , 5F083JA15 , 5F083JA38 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083NA08 , 5F083PR23 , 5F083PR33 , 5F083PR34 , 5G303AA10 , 5G303AB20 , 5G303BA03 , 5G303CA01 , 5G303CB21 , 5G303CB25 , 5G303CB30 , 5G303CB31 , 5G303CB35 , 5G303CB39 , 5G303CB42

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

ペロフスカイト結晶構造を有するジルコンチタン酸鉛(PZT)を基礎とする圧電セラミック材料
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2003-532419 Applicant：セラムテックアクチエンゲゼルシャフトイノヴェイティヴセラミックエンジニアリング
圧電アクチュエータ及びインクジェット式記録ヘッド
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-375686 Applicant：セイコーエプソン株式会社
圧電体素子及びこれを用いた電気機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-101286 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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