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J-GLOBAL ID:200903026814973543
合成ハイドロタルサイトの合成と使用
Inventor:
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,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
矢口 太郎
, 大森 純一
, 山口 康明
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003560020
Publication number (International publication number):2005515230
Application date: Jan. 08, 2003
Publication date: May. 26, 2005
Summary:
【課題】 【解決手段】 [M2+1-xM3+x(OH)21x+[An x/n 11H20]xを一般的化学式とし、前記化学式においてM2+が二価カチオンであり、M3+が三価カチオンであり、A°-がC16〜C18酸の直鎖カルボン酸塩と、芳香族酸のカルボン酸塩と、アクリル酸のカルボン酸塩と、メタクリル酸の不飽和カルボン酸塩と、ビニル酢酸の不飽和カルボン酸塩と、C2および窒素、燐、硫黄、ハロゲンのようなヘテロ原子を含むより高級な有機酸のカルボン酸塩とから選択した有機アニオンである合成ハイドロタルサイトを、合成方法および使用方法とともに開示する。
Claim (excerpt):
以下を一般的化学式とする合成ハイドロタルサイトであって、
IPC (7):
C07C229/08
, C08K3/26
, C08L23/02
, C08L23/06
, C08L25/04
, C08L27/06
, C08L101/00
FI (7):
C07C229/08
, C08K3/26
, C08L23/02
, C08L23/06
, C08L25/04
, C08L27/06
, C08L101/00
F-Term (16):
4H006AA01
, 4H006AA02
, 4H006AB40
, 4H006BS10
, 4H006BU32
, 4J002BB031
, 4J002BB041
, 4J002BB121
, 4J002BB161
, 4J002BB211
, 4J002BC031
, 4J002BC041
, 4J002BD031
, 4J002BD041
, 4J002DE286
, 4J002FD016
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (16)
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特許第3112684号
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金属イオン導入ハイドロタルサイト類化合物の製造方法および金属イオン捕捉方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-184802
Applicant:堺化学工業株式会社
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特開平2-196839
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特許第3112684号
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特開昭58-013643
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特開平2-196839
-
特許第3112684号
-
特開昭58-013643
-
特公昭50-030039
-
特開昭57-200433
-
特開昭59-011308
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合成マイクスネライト生成物及び方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平7-528181
Applicant:アルミナムカンパニーオブアメリカ
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ポリプロピレン樹脂組成物
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-189168
Applicant:三井東圧化学株式会社
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ICカード認証方法および装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-366763
Applicant:株式会社キャディックス, 株式会社デンソー
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ハイドロタルク石並びにその金属酸化物の製造方法
Gazette classification:公表公報
Application number:特願平8-523171
Applicant:エルヴェーエー-デーエーアーアクチエンゲゼルシャフトフュアミネラルエールウントヒェミー
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カチオン性層状化合物およびその製造方法と用途
Gazette classification:公表公報
Application number:特願2000-524226
Applicant:コグニス・ドイチュラント・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング
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