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J-GLOBAL ID：200903026860256023

ZnO結晶の成長方法、ZnO結晶構造及びそれを用いた半導体装置

Inventor：
佐野 道宏

About 佐野 道宏

, 
八百 隆文

About 八百 隆文


Applicant, Patent owner：
スタンレー電気株式会社

About スタンレー電気株式会社

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八百 隆文

About 八百 隆文


Agent (1)： 高橋 敬四郎 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002370632
Publication number (International publication number)：2003264201
Application date： Aug. 31, 1999
Publication date： Sep. 19, 2003
Summary：
【要約】【課題】 ZnO結晶、その成長方法及びそれを用いた半導体装置に関し、サファイヤ基板上に成長されるZnO結晶の結晶欠陥を低減し、良質なZnO結晶を成長する結晶成長方法を提供する。【解決手段】 基板上に、亜鉛(Zn)リッチもしくは酸素(O)リッチの条件にてZnO単結晶バッファー層を成長する工程と、前記ZnO単結晶バッファー層の表面平坦化処理を実施する工程と、前記表面平坦化処理を施したZnO単結晶バッファー層上に単結晶ZnO層を成長する工程とを含む。
Claim (excerpt)：
基板上に、亜鉛(Zn)リッチもしくは酸素(O)リッチの条件にてZnO単結晶バッファー層を成長する工程と、前記ZnO単結晶バッファー層の表面平坦化処理を実施する工程と、前記表面平坦化処理を施したZnO単結晶バッファー層上に単結晶ZnO層を成長する工程とを含むZnO結晶の成長方法。
IPC (3)：
H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00
FI (3)：
H01L 21/363 ,  H01L 21/365 ,  H01L 33/00 D
F-Term (32)：
5F041AA40 ,  5F041CA02 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA55 ,  5F041CA57 ,  5F041CA66 ,  5F045AA08 ,  5F045AA15 ,  5F045AB22 ,  5F045AC11 ,  5F045AD10 ,  5F045AE07 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA11 ,  5F045DA53 ,  5F103AA04 ,  5F103BB04 ,  5F103BB06 ,  5F103DD30 ,  5F103GG01 ,  5F103HH04 ,  5F103KK10 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103LL08 ,  5F103NN01 ,  5F103NN04 ,  5F103PP06 ,  5F103RR06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
  • 発光素子
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-045311   Applicant：株式会社村田製作所
  • 特開昭54-162688
  • 薄膜形成方法
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-217100   Applicant：ミノルタ株式会社
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Article cited by the Patent：
Cited by examiner (1)

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