磁気トンネリング接合素子およびその製造方法、これを用いた磁気ヘッド、磁気センサ、磁気メモリならびに磁気記録再生装置、磁気センサ装置、磁気メモリ装置

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998365596
Publication number (International publication number)：2000188435
Application date： Dec. 22, 1998
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】上部磁性層/絶縁層/下部磁性層を有する積層体を具備する磁気トンネリング接合素子およびその製造方法、これを用いた磁気ヘッド、磁気センサ、磁気メモリならびに磁気記録再生装置、磁気センサ装置、磁気メモリ装置において、絶縁層の欠陥などを低減するとともに、大きな磁気抵抗変化率を有する磁気トンネリング接合素子を提供する。【解決手段】基板2上に、上部磁性層6/絶縁層5/下部磁性層4/下部電極層3を有する積層体を具備し、絶縁層5を挟み上部磁性層6と下部磁性層4との間に流れる電流のコンダクタンスが、上部磁性層6の磁化と下部磁性層4の磁化との相対角度に依存する磁気トンネリング効果を用いる磁気トンネリング接合素子1において、下部電極層3の下部磁性層4に対する面の表面粗さは0.5nm以下とする。

Claim (excerpt)：

基板上に、上部磁性層/絶縁層/下部磁性層/下部電極層を有する積層体を具備し、前記絶縁層を挟み前記上部磁性層と前記下部磁性層との間に流れる電流のコンダクタンスが、前記上部磁性層の磁化と前記下部磁性層の磁化との相対角度に依存する磁気トンネリング効果を用いる磁気トンネリング接合素子において、前記下部電極層の前記下部磁性層に対する面の表面粗さは0.5nm以下であることを特徴とする磁気トンネリング接合素子。

IPC (5)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/08 , H01F 10/26

FI (5)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/08 , H01F 10/26 , G01R 33/06 R

F-Term (20)：

2G017AD55 , 2G017AD62 , 2G017AD63 , 2G017AD65 , 5D034BA05 , 5D034BA09 , 5D034BA15 , 5D034BB12 , 5D034DA07 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049CB02 , 5E049DB02 , 5E049DB14 , 5E049GC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

強磁性トンネル効果膜を用いた磁気抵抗効果素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-246133 Applicant：日本電気株式会社
磁気トンネル接合素子、接合メモリ・セル及び接合磁界センサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-276238 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
強磁性スピントンネル効果素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-023254 Applicant：株式会社豊田中央研究所

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