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J-GLOBAL ID：200903037616795950

積層膜及び磁気素子

Inventor： 斉藤 好昭 ,  猪俣 浩一郎
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997077090
Publication number (International publication number)：1998270245
Application date： Mar. 28, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体若しくは半金属特性を示す非磁性膜と磁性膜との積層構造を実現することを目的とする。【解決手段】本発明は、B20結晶構造を有するM1-xSi(0.5<x<1.0、M:Fe,Co,Ni,Cr及びMnの少なくとも一種)の組成を有する非磁性膜を磁性膜上に有することを特徴とする積層膜である。

Claim (excerpt)：

B20結晶構造を有するM<SB>1-x</SB> Si(0.5≦x<1.0、M:Fe,Co,Ni,Cr及びMnの少なくとも一種)の組成を有する非磁性膜を磁性膜上に有することを特徴とする積層膜。

IPC (3)：

H01F 10/12 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10

FI (3)：

H01F 10/12 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 43/10

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (7)

• 光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-215411   Applicant：株式会社東芝
• スピン偏極STM装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-126317   Applicant：株式会社東芝
• 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Coシリサイド焼結ターゲット材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-216812   Applicant：三菱マテリアル株式会社
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-216181   Applicant：株式会社東芝
• 人工格子膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-042867   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果膜
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-183722   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開昭62-112787
  

Cited by examiner (3)

• 光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-215411   Applicant：株式会社東芝
• スピン偏極STM装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-126317   Applicant：株式会社東芝
• 成膜中にパーティクル発生の少ないスパッタリング用Coシリサイド焼結ターゲット材
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-216812   Applicant：三菱マテリアル株式会社

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• B20構造およびbcc構造FeSi中間非磁性層をもつFe/FeSi/Feサンドイッチ膜の磁気的電気的