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J-GLOBAL ID：200903026961665978

炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置

Inventor：
長澤 弘幸

About 長澤 弘幸


Applicant, Patent owner：
ホーヤ株式会社

About ホーヤ株式会社


Agent (1)： 阿仁屋 節雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000242171
Publication number (International publication number)：2002057109
Application date： Aug. 10, 2000
Publication date： Feb. 22, 2002
Summary：
【要約】【課題】 不純物源や不純物濃度に対する制限もしくは不純物添加範囲の深さ制限等を受けること無く、高い制御性のもとで不純物添加をおこないつつ、十分な生産性のもとで製造を可能とする炭化珪素製造方法、炭化珪素及び半導体装置を提供する。【解決手段】 CVD装置10内のプレート3上に単結晶珪素基板4を設置し、加熱手段5によって1200°Cに加熱し、成膜室1内をH2ガス雰囲気にし、次いで、SiH2Cl2ガスを5秒間供給し(珪素層の形成)、次に、SiH2Cl2ガスを止めてN2ガスを5秒間供給し(珪素層へのN(ドナー)添加)、次いで、N2ガスを止めてC2H2ガスを5秒間供給する(N添加された珪素層の炭化)という、工程からなる単位工程を2000回繰り返して、基板4(珪素基板)上にエピタキシャル成長によって立方晶炭化珪素膜を形成する。
Claim (excerpt)：
基体上に気相又は液相から薄膜を析出させて炭化珪素を形成する炭化珪素製造方法において、基体上に珪素層を形成する珪素層形成工程と、前記珪素層にN,B,Al,Ga,In,P,As,Sb,Se,Zn,O,Au,V,Er,Ge,Feから選ばれる少なくとも1種類の元素を不純物として添加する不純物添加工程と、前記不純物が添加された珪素層を炭化して不純物が添加された炭化珪素層を形成する炭化工程とを有することを特徴とする炭化珪素の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/36 ,  H01L 21/208 ,  H01L 21/329 ,  H01L 29/861
FI (5)：
H01L 21/205 ,  C30B 29/36 A ,  H01L 21/208 D ,  H01L 29/91 B ,  H01L 29/91 F
F-Term (33)：
4G077AA03 ,  4G077BE08 ,  4G077DB01 ,  4G077DB05 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  5F045AA06 ,  5F045AB06 ,  5F045AC05 ,  5F045AC15 ,  5F045AD14 ,  5F045AD15 ,  5F045AD16 ,  5F045AD17 ,  5F045AD18 ,  5F045AE17 ,  5F045AF03 ,  5F045AF13 ,  5F045BB04 ,  5F045DA59 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045EK03 ,  5F045HA14 ,  5F053AA03 ,  5F053DD01 ,  5F053FF01 ,  5F053FF05 ,  5F053HH01 ,  5F053HH04 ,  5F053PP03 ,  5F053PP12 ,  5F053RR05
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (7)
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Cited by examiner (7)
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