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J-GLOBAL ID：200903026991273748

ダイヤモンド紫外光発光素子

Inventor：
小泉 聡

About 小泉 聡

, 
渡邊 賢司

About 渡邊 賢司

, 
神田 久生

About 神田 久生


Applicant, Patent owner：
独立行政法人物質・材料研究機構

About 独立行政法人物質・材料研究機構


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001368095
Publication number (International publication number)：2002231996
Application date： Dec. 03, 2001
Publication date： Aug. 16, 2002
Summary：
【要約】【課題】 紫外光発光が可能なダイヤモンドpn接合およびpin接合ダイオードを提供する。【解決手段】 ホウ素ドープp型半導体ダイヤモンド薄膜(p型層)あるいはそれに接する電気伝導性基板にオーム性電極が形成され、そのオーム性電極に接することなく、p型層表面に直接あるいはアンドープダイヤモンド薄膜をはさんでリンドープn型半導体ダイヤモンド薄膜(n型層)が形成され、その表面にp型層及びp型層に形成されたオーム性電極に接することなくオーム性電極が形成されるものとする。
Claim (excerpt)：
ホウ素ドープp型半導体ダイヤモンド薄膜(p型層)表面に直接あるいはアンドープダイヤモンド薄膜(i層)をはさんでn型層としてリンドープn型半導体ダイヤモンド薄膜が積層されたpnあるいはpin接合構造を有し、p型層およびn型層の表面に形成されたオーム性電極を通して通電することで紫外光の発光が得られることを特徴とするダイヤモンド紫外光発光素子。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 33/00 A ,  H01L 21/205
F-Term (18)：
5F041AA04 ,  5F041AA11 ,  5F041CA02 ,  5F041CA33 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA64 ,  5F041CA71 ,  5F041CA82 ,  5F045AA09 ,  5F045AB07 ,  5F045AC07 ,  5F045AD13 ,  5F045AE25 ,  5F045AF02 ,  5F045AF10 ,  5F045CA10 ,  5F045DA60
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
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