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J-GLOBAL ID：200903027077693867

温度補償型圧電発振器の容器とその製造方法

Inventor：
小林 宏和

About 小林 宏和


Applicant, Patent owner：
キンセキ株式会社

About キンセキ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997283021
Publication number (International publication number)：1999112235
Application date： Sep. 30, 1997
Publication date： Apr. 23, 1999
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 温度補償発振器を構成する半導体部品の発熱により圧電振動子の周囲環境温度が変化しても発振器自体の精度を維持しながら発振器を小型する。【解決手段】 圧電振動子1と複数の半導体部品2から成る温度補償型圧電発振器の容器3で、半導体部品を搭載する積層基板4の半導体部品搭載側と相対する他方の積層基板面に圧電振動子を搭載し、半導体部品搭載側は積層基板からセラミックの壁が延び、他方の圧電振動子搭載側はフタ5により密閉構造を構成する温度補償型圧電発振器の容器を用いて、圧電振動子は半導体部品を搭載する前に積層基板に搭載し、所望の周波数を得る周波数調整工程により周波数調整を行い圧電振動子に断面が凹状のフタを被せ、その後半導体部品を積層基板に搭載することにより課題を解決する。
Claim (excerpt)：
圧電振動子と複数の半導体部品から成る温度補償型圧電発振器の容器において、該半導体部品を搭載する積層基板の該半導体部品搭載側と相対する他方の該積層基板面に該圧電振動子を搭載し、該半導体部品搭載側は該積層基板からセラミックの壁が延び、他方の該圧電振動子搭載側は断面が凹状のフタにより密閉構造となっていることを特徴とする温度補償型圧電発振器の容器。
IPC (3)：
H03B 5/32 ,  H03H 3/02 ,  H03H 9/02
FI (6)：
H03B 5/32 H ,  H03B 5/32 A ,  H03H 3/02 B ,  H03H 9/02 A ,  H03H 9/02 K ,  H03H 9/02 N
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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