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J-GLOBAL ID：200903027104810340

半導体装置およびその作製方法

Inventor： 山崎 舜平
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997254258
Publication number (International publication number)：1999087731
Application date： Sep. 03, 1997
Publication date： Mar. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ボトムゲイト型TFTのしきい値電圧を効果的に制御するための手段を提供する。【解決手段】 ガラス基板101上のゲイト電極103、104、ゲイト絶縁膜107上に非晶質珪素膜108を形成し、結晶化して結晶性珪素膜109を得る。その上にバッファ層110を形成して、しきい値電圧を制御するための不純物元素(13族または15族から選ばれた元素)を添加する。この添加方法としてはイオン注入法またはイオンドーピング法を用いる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面を有する基板上に形成された複数のボトムゲイト型TFTを構成に含む半導体装置であって、前記複数のボトムゲイト型TFTのうち、NTFTのチャネル形成領域には15族から選ばれた元素が意図的に含ませてあり、且つ、PTFTのチャネル形成領域には13族から選ばれた元素が意図的に含ませてあり、前記NTFT及びPTFTのチャネル形成領域中における前記元素の濃度は、前記チャネル形成領域と当該チャネル形成領域に接したゲイト絶縁膜との界面に近づくほど減少していくことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500

FI (7)：

H01L 29/78 617 A ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 B ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 616 A ,  H01L 29/78 618 F ,  H01L 29/78 627 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• 薄膜トランジスタの製造方法及びその薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-034660   Applicant：松下電器産業株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-118637   Applicant：三洋電機株式会社
• 特開平4-158581
  
• 特開平3-286570
  

Cited by examiner (5)

• 薄膜トランジスタの製造方法及びその薄膜トランジスタを用いた液晶表示装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-034660   Applicant：松下電器産業株式会社
• 薄膜半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-118637   Applicant：三洋電機株式会社
• 半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-249817   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所
• 特開平4-158581
  
• 特開平3-286570