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J-GLOBAL ID：200903027131852275

窒化物半導体結晶薄膜およびその作製方法、半導体装置およびその製造方法

Inventor：
渡邉 則之

About 渡邉 則之

, 
小田 康裕

About 小田 康裕

, 
小林 隆

About 小林 隆


Applicant, Patent owner：
日本電信電話株式会社

About 日本電信電話株式会社


Agent (3)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008075599
Publication number (International publication number)：2009231561
Application date： Mar. 24, 2008
Publication date： Oct. 08, 2009
Summary：
【課題】異種材料基板の上にそりを制御して窒化物半導体結晶の層が形成できるようにする。【解決手段】シリコン基板101と、シリコン基板101の上にエピタキシャル成長されたAlN結晶からなる膜厚100nmの核形成層102と、核形成層102の上にエピタキシャル成長されたAlGaNからなる膜厚100nmの挿入層103と、挿入層103の上にエピタキシャル成長されたGaNからなるキャリア走行層104と、キャリア走行層104の上にエピタキシャル成長されたAl0.25Ga0.75Nからなる膜厚25nmのバリア層105とを備える。バリア層105は、キャリア走行層104に対してキャリアを供給するキャリア供給層として機能する。また、AlGaNからなる挿入層103にホウ素が添加されている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
基板の上に窒化物半導体からなる核形成層を介して形成された窒化物半導体からなる結晶の薄膜であって、 前記薄膜はホウ素が添加されていることを特徴とする窒化物半導体結晶薄膜。
IPC (4)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L29/80 H ,  H01L21/205
F-Term (33)：
5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB11 ,  5F045BB16 ,  5F045CA02 ,  5F045CA07 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045DA57 ,  5F045DA69 ,  5F102FA00 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GK09 ,  5F102GL04 ,  5F102GQ01 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102HC01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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