半導体装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：小林茂 , 和泉良彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006080195
Publication number (International publication number)：2007258406
Application date： Mar. 23, 2006
Publication date： Oct. 04, 2007
Summary：

【課題】層厚の厚い高品質な窒化物半導体結晶層が、該結晶層内の歪を緩和させた状態で、再現性よく得られる半導体装置を提供すること。【解決手段】基板1であるSi基板上に、核形成層2であるAlN層(層厚150nm)、バッファ層3であるIn1-XAlXN組成傾斜層(層厚210nm、In組成1-Xは、上から下に向けて、0.17から0.1まで変化、組成変化率層厚30mnあたり0.01)、窒化物半導体結晶層4である、GaN層(層厚1000nm)およびAlGaNバリア層(層厚25nm、Al組成0.25)を、順次積層してなる積層構造を有する半導体装置を構成する。【選択図】図3

Claim (excerpt)：

基板上に核形成層、バッファ層および窒化物半導体結晶層を順次積層してなる積層構造を有する半導体装置において、前記バッファ層が、InおよびAlを含有する窒化物半導体を構成要素とすることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205 , H01L 21/331 , H01L 29/737

FI (3)：

H01L29/80 H , H01L21/205 , H01L29/72 H

F-Term (31)：

5F003BA92 , 5F003BB04 , 5F003BC02 , 5F003BC04 , 5F003BE04 , 5F003BE90 , 5F003BF06 , 5F003BG06 , 5F003BM02 , 5F003BM03 , 5F003BP32 , 5F003BZ03 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045BB11 , 5F045CA02 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA58 , 5F045DA69 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GK09 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-235336 Applicant：日本電信電話株式会社
歪補償層を有する半導体構造及び製造方法
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2000-608410 Applicant：松下電器産業株式会社
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-378316 Applicant：松下電器産業株式会社

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Cited by examiner (4)

半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-378316 Applicant：松下電器産業株式会社
化合物半導体素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2003-022685 Applicant：信越半導体株式会社
絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-235336 Applicant：日本電信電話株式会社

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