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J-GLOBAL ID：200903023827712235

エピタキシャル基板、半導体素子および高電子移動度トランジスタ

Inventor： 倉岡 義孝 ,  市村 幹也 ,  坂井 正宏 ,  田中 光浩
Applicant, Patent owner： 日本碍子株式会社
Agent (2)： 細田 益稔 ,  青木 純雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003081259
Publication number (International publication number)：2004289005
Application date： Mar. 24, 2003
Publication date： Oct. 14, 2004
Summary：

【課題】半絶縁層の抵抗率が低く、半導体素子として有効に利用できるエピタキシャル基板を提供する。【解決手段】エピタキシャル基板は、基板1と、基板1上にエピタキシャル成長された第一の窒化物半導体からなる下地層2と、下地層2上にエピタキシャル成長された第二の窒化物半導体からなる半絶縁層3とを備えている。第一の窒化物半導体において、III属元素の含有量の合計に対するAl含有量が50原子%以上であり、転位密度が1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅が200秒以下である。第二の窒化物半導体が、Gaを含み、比抵抗が104Ω・cm以上である。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

基板と、この基板上にエピタキシャル成長された第一の窒化物半導体からなる下地層と、この下地層上にエピタキシャル成長された第二の窒化物半導体からなる半絶縁層とを備えており、前記第一の窒化物半導体において、III族元素の含有量の合計に対するAl含有量が50原子%以上であり、転位密度が1011/cm2以下であり、(002)面におけるX線ロッキングカーブにおける半値幅が200秒以下であり、前記第二の窒化物半導体が、Gaを含み、比抵抗が104Ω・cm以上であることを特徴とする、エピタキシャル基板。

IPC (3)：

H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

FI (1)：

H01L29/80 H

F-Term (14)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ09 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK00 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-267299   Applicant：日本碍子株式会社
• GaN系高移動度トランジスタ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-385219   Applicant：古河電気工業株式会社
• p型窒化物化合物半導体の作製方法及び半導体デバイス
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-117063   Applicant：日立電線株式会社
• 絶縁性窒化物膜およびそれを用いた半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-235336   Applicant：日本電信電話株式会社
• 半導体素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-163592   Applicant：日本碍子株式会社