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J-GLOBAL ID：200903027151659455

電気光学装置及びその製造方法

Inventor：
村出 正夫

About 村出 正夫


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 上柳 雅誉 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000318543
Publication number (International publication number)：2002123192
Application date： Oct. 18, 2000
Publication date： Apr. 26, 2002
Summary：
【要約】【課題】 液晶装置等の電気光学装置において、比較的単純な積層構造を採用しつつ、耐光性を高め且つ蓄積容量を効率良く作り込む。【解決手段】 電気光学装置は、TFTアレイ基板(10)上に、画素電極(9a)と、これに接続されたTFT(30)と、TFTに接続された走査線(3a)と、走査線と同一層からなる容量線(300)と、容量線及び走査線上に積層された層間絶縁膜(41)と、この層間絶縁膜上に積層された中間導電層(80)とを備える。中間導電層は、遮光性の導電膜からなり、容量線の一部である第1容量電極に層間絶縁膜を介して対向する第2容量電極を含むと共に走査線を少なくとも部分的に層間絶縁膜を介して上方から覆う遮光部を含む。層間絶縁膜は、第1容量電極と第2容量電極との間における膜厚が、走査線と遮光部との間における膜厚より薄く形成されている。
Claim (excerpt)：
基板上に、画素電極と、該画素電極に接続された薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタに接続された走査線と、該走査線と同一層からなり前記画素電極に付加された蓄積容量の第1電極部と、前記第1電極部及び前記走査線上に積層された層間絶縁膜と、該層間絶縁膜上に積層されており前記第1電極部に前記層間絶縁膜を介して対向する前記蓄積容量の第2電極部を含むと共に前記走査線を少なくとも部分的に前記層間絶縁膜を介して上方から覆う遮光部を含む中間導電層とを備えており、前記層間絶縁膜は、前記第1電極部と前記第2電極部との間における膜厚が前記走査線と前記遮光部との間における膜厚より薄く形成されていることを特徴とする電気光学装置。
IPC (3)：
G09F 9/30 338 ,  G02F 1/1368 ,  H01L 29/786
FI (4)：
G09F 9/30 338 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 619 B
F-Term (70)：
2H092GA29 ,  2H092JA24 ,  2H092JA46 ,  2H092JB22 ,  2H092JB51 ,  2H092JB69 ,  2H092KB25 ,  2H092MA17 ,  2H092NA21 ,  2H092NA25 ,  2H092NA27 ,  2H092RA05 ,  5C094AA42 ,  5C094AA43 ,  5C094AA44 ,  5C094AA45 ,  5C094BA03 ,  5C094CA19 ,  5C094DA13 ,  5C094EA03 ,  5C094EA04 ,  5C094EA07 ,  5C094EA10 ,  5C094FB19 ,  5C094GB01 ,  5F110AA06 ,  5F110AA16 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110EE04 ,  5F110EE05 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE28 ,  5F110EE45 ,  5F110FF02 ,  5F110FF23 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ12 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL23 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN54 ,  5F110NN72 ,  5F110NN73 ,  5F110PP01 ,  5F110QQ04 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ19
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (2)

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