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J-GLOBAL ID：200903041463344594

電気光学装置及びその製造方法

Inventor：
村出 正夫

About 村出 正夫


Applicant, Patent owner：
セイコーエプソン株式会社

About セイコーエプソン株式会社


Agent (1)： 鈴木 喜三郎 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999067168
Publication number (International publication number)：2000267131
Application date： Mar. 12, 1999
Publication date： Sep. 29, 2000
Summary：
【要約】【課題】 画素電極と画素スイッチング用TFTとの間の電気的な導通をとるためのバリア層を備えた電気光学装置において、画素開口率を高めると同時に蓄積容量を増大させる。【解決手段】 電気光学装置は、基板上にTFT(30)、データ線(6a)、走査線(3a)、容量線(3b)及び画素電極(9a)を備える。画素電極及びTFT間は、第1バリア層(80a)を中継して二つのコンタクトホールにより接続される。TFTの下には、導電性の第1遮光膜(11a)が配置されている。半導体層の一部及び容量線から第1蓄積容量(70a)、容量線及び第1バリア層の一部から第2蓄積容量(70b)、半導体層の一部及び第1遮光膜の一部から第3蓄積容量(70c)が夫々構築されている。
Claim (excerpt)：
基板に複数のデータ線と、複数の走査線と、前記各データ線と前記各走査線に接続されたトランジスタと、前記トランジスタに接続された画素電極と蓄積容量とを有する電気光学装置であって、前記基板上には少なくとも前記トランジスタのチャネル領域と平面的に重なるように配置された遮光膜と、前記遮光膜上に形成された下地絶縁膜と、該下地絶縁膜上に形成された前記トランジスタのチャネル領域及び前記蓄積容量の第1容量電極となる半導体層と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された前記走査線及び前記蓄積容量の第2容量電極となる容量線と、前記半導体層に接続されるとともに前記第2容量電極上に第1層間絶縁膜を介して対向配置された第3容量電極を含む第1導電層と、前記遮光膜と同一層からなり前記第1容量電極に前記下地絶縁膜を介して対向配置された第4容量電極とを備えており、前記下地絶縁膜は、第1容量電極及び第4容量電極間の少なくとも一部が薄膜化されていることを特徴とする電気光学装置。
IPC (4)：
G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (3)：
G02F 1/136 500 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 29/78 616 K
F-Term (101)：
2H092JA25 ,  2H092JA46 ,  2H092JB05 ,  2H092JB07 ,  2H092JB52 ,  2H092JB56 ,  2H092JB64 ,  2H092JB66 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092KA07 ,  2H092KA10 ,  2H092KB22 ,  2H092KB25 ,  2H092MA07 ,  2H092MA27 ,  2H092NA01 ,  2H092NA21 ,  2H092PA09 ,  2H092RA05 ,  5C094AA00 ,  5C094AA06 ,  5C094AA10 ,  5C094AA25 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EA10 ,  5C094EB02 ,  5C094FA01 ,  5C094FA02 ,  5C094FB02 ,  5C094FB12 ,  5C094FB16 ,  5C094GB10 ,  5F110AA06 ,  5F110AA18 ,  5F110AA21 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD24 ,  5F110DD25 ,  5F110EE05 ,  5F110EE06 ,  5F110EE09 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF32 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG24 ,  5F110GG25 ,  5F110GG47 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ04 ,  5F110HJ13 ,  5F110HJ23 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL05 ,  5F110HL06 ,  5F110HL08 ,  5F110HL23 ,  5F110HM03 ,  5F110HM14 ,  5F110HM15 ,  5F110HM17 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN35 ,  5F110NN40 ,  5F110NN42 ,  5F110NN44 ,  5F110NN45 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN72 ,  5F110PP02 ,  5F110PP03 ,  5F110PP10 ,  5F110PP13 ,  5F110PP33 ,  5F110QQ05 ,  5F110QQ11
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (9)
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