電界放出型冷陰極、その製造方法及び真空マイクロ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000098026
Publication number (International publication number)：2001283716
Application date： Mar. 31, 2000
Publication date： Oct. 12, 2001
Summary：

【要約】【課題】エミッタにフラーレン又はカーボンナノチューブを用いた電界放出型冷陰極において、その信頼性や性能の向上をはかる。【解決手段】支持基板11上に形成された金属メッキ層15と、金属メッキ層15中に一部分が埋設されたフラーレン17又はカーボンナノチューブ16によって構成された突出部とによってエミッタが形成されている。

Claim (excerpt)：

支持基板上に形成された金属メッキ層と、この金属メッキ層中に一部分が埋設されたフラーレン又はカーボンナノチューブによって構成された突出部とによってエミッタが形成されていることを特徴とする電界放出型冷陰極。

IPC (8)：

H01J 1/304 , C23C 18/52 , C23C 28/00 , C25D 7/00 , C25D 15/02 , H01J 9/02 , H01J 29/04 , H01J 31/12

FI (8)：

C23C 18/52 A , C23C 28/00 A , C25D 7/00 J , C25D 15/02 F , H01J 9/02 B , H01J 29/04 , H01J 31/12 C , H01J 1/30 F

F-Term (37)：

4K022AA02 , 4K022AA31 , 4K022AA43 , 4K022BA14 , 4K022BA34 , 4K022CA19 , 4K022DA01 , 4K022DB02 , 4K024AA03 , 4K024AB01 , 4K024BA01 , 4K024BB11 , 4K024BC01 , 4K024CA04 , 4K024CB12 , 4K024DA08 , 4K044AA12 , 4K044AB02 , 4K044BA06 , 4K044BB03 , 4K044BB11 , 4K044BC14 , 4K044CA15 , 4K044CA53 , 5C031DD17 , 5C031DD19 , 5C036EE01 , 5C036EE02 , 5C036EE14 , 5C036EF01 , 5C036EF06 , 5C036EF09 , 5C036EG12 , 5C036EH06 , 5C036EH08 , 5C036EH11 , 5C036EH26

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

電界効果電子源及び当該源を製造する方法、並びに陰極ルミネンスディスプレイ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-313759 Applicant：コミツサリアタレネルジーアトミーク
電界放出型カソードの製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-133957 Applicant：ソニー株式会社
電界放出型冷陰極装置、その製造方法及び真空マイクロ装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-249096 Applicant：株式会社東芝

Show all

Return to Previous Page