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J-GLOBAL ID：200903027182641570

<110>方位のシリコン表面上に形成された半導体装置およびその製造方法

Inventor： 大見 忠弘 ,  須川 成利
Applicant, Patent owner： 大見 忠弘
Agent (1)： 伊東 忠彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001307899
Publication number (International publication number)：2003115587
Application date： Oct. 03, 2001
Publication date： Apr. 18, 2003
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 電流駆動能力の高い電界効果トランジスタおよびその製造方法を提供する。【解決手段】 <110>面方位をその表面に有するシリコンに複数の電界効果トランジスタが形成された半導体装置において、電界効果トランジスタのソースからドレインに向かう方向が<110>面方向を向くように電界効果トランジスタを配置したことを特徴とする。

Claim (excerpt)：

実質的に<110>方位を有するシリコン表面上に複数の電界効果トランジスタが形成された半導体装置において、前記電界効果トランジスタのソース領域とドレイン領域とを結ぶ方向が、実質的に<110>方向に一致するように電界効果トランジスタを前記シリコン表面上に配置したことを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/78 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/786

FI (5)：

H01L 21/316 X ,  H01L 29/78 301 Q ,  H01L 29/78 301 G ,  H01L 29/78 620 ,  H01L 29/78 617 V

F-Term (47)：

5F058BB10 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BF08 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F110AA01 ,  5F110AA04 ,  5F110AA07 ,  5F110AA09 ,  5F110BB04 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF07 ,  5F110FF09 ,  5F110FF30 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F110GG17 ,  5F110NN77 ,  5F110QQ21 ,  5F140AA00 ,  5F140AA01 ,  5F140AA02 ,  5F140AA05 ,  5F140AA39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BB01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD17 ,  5F140BE06 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08 ,  5F140BE10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

• 半導体装置および半導体基板
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-087831   Applicant：株式会社日立製作所
• 特開平4-256356
  
• 特公昭48-039513
  
• 特開昭61-070748
  
• 111面方位を表面に有するシリコンを用いた半導体装置およびその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-376170   Applicant：大見忠弘

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• Mobility Anisotropy of Electrons in Inversion Layers on Oxidized Silicon Surfaces
• 新しい半導体製造プロセスと材料, 20000531, 第1刷, pp.9-11