半導体装置および半導体基板

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小川勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999087831
Publication number (International publication number)：2000286418
Application date： Mar. 30, 1999
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】 Siおよびこれと同族元素であるGe,Cなどの組合せを用いて、低消費電力で高速な電界効果トランジスタを有する半導体装置を提供する。【解決手段】電界効果トランジスタのチャネルが形成されるチャネル形成層1に歪印加半導体層2により歪を印加せしめ、チャネル中のキャリアの移動度を無歪のチャネル形成層の材料より大きくする。【効果】高速かつ低消費電力の相補型電界効果トランジスタを実現できる。

Claim (excerpt)：

電界効果トランジスタのチャネルが形成されるチャネル形成層と、該チャネル形成層の格子に歪を印加せしめる歪印加半導体層を有し、前記チャネル中のキャリアの移動度は無歪の前記チャネル形成層の材料より大きいことを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 29/78 , H01L 21/8238 , H01L 27/092

FI (4)：

H01L 29/78 301 B , H01L 27/08 321 B , H01L 29/78 301 H , H01L 29/78 301 Q

F-Term (31)：

5F040DA00 , 5F040DA01 , 5F040DA02 , 5F040DA05 , 5F040DB03 , 5F040DC01 , 5F040DC10 , 5F040EB12 , 5F040EC07 , 5F040EE06 , 5F040EF09 , 5F040EH02 , 5F040EH05 , 5F040EJ03 , 5F040EK05 , 5F040FC06 , 5F048AA08 , 5F048AC03 , 5F048BA03 , 5F048BA09 , 5F048BA10 , 5F048BA12 , 5F048BA14 , 5F048BB06 , 5F048BB07 , 5F048BC15 , 5F048BC18 , 5F048BD09 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BG14

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

電界効果トランジスタとその製造方法、半導体装置とその製造方法、その半導体装置を含む論理回路および半導体基板
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-074746 Applicant：ソニー株式会社
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-135037 Applicant：株式会社東芝
歪シリコン電界効果トランジスタ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-238755 Applicant：株式会社東芝

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