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J-GLOBAL ID：200903027242643616

半導体欠陥検査装置ならびにその方法

Inventor：
西浦 朋史

About 西浦 朋史

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宮本 敦

About 宮本 敦

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宍戸 千絵

About 宍戸 千絵

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酢谷 拓路

About 酢谷 拓路


Applicant, Patent owner：
株式会社日立ハイテクノロジーズ

About 株式会社日立ハイテクノロジーズ


Agent (2)： 井上 学 ,  戸田 裕二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008001762
Publication number (International publication number)：2009164436
Application date： Jan. 09, 2008
Publication date： Jul. 23, 2009
Summary：
【課題】回路設計データを用いた半導体ウェーハ上の欠陥を自動的に検出し、欠陥発生原因の推定を行う半導体欠陥検査装置ならびにその方法を提供する。【解決手段】回路設計データから検査対象回路パターンと比較するために,欠陥発生要因毎に定められた形状変形項目について設計データに変形を加え,複数の形状を作成する。作成された形状群と実パターンの比較により欠陥を検出する。また、それらの欠陥の発生原因を推定し,原因別に欠陥を分類する。【選択図】 図17
Claim (excerpt)：
予め他の検査装置で検出した半導体ウェーハ上の欠陥を走査型電子顕微鏡を用いて検査する装置であって、 予め他の検査装置で検出した欠陥の位置情報を用いて回路パターンが形成された半導体ウェハ上の前記欠陥を含む検査領域のSEM画像を取得するSEM画像取得手段と、 該SEM画像取得手段で取得した検査領域のSEM画像を参照画像と比較して前記半導体ウェハ上の所望の検査領域に存在する欠陥のSEM画像を抽出する欠陥画像抽出手段と、 該欠陥画像抽出手段で抽出した欠陥のSEM画像を分類する欠陥分類手段と、 該欠陥分類手段で分類した結果を出力する出力手段とを備え、 前記欠陥画像抽出手段は、 前記SEM画像取得手段で取得した検査領域のSEM画像から該検査領域内の回路パターンの検査形状を抽出する検査形状抽出部と、 前記検査領域内の回路パターンに対応する設計データを用いて該回路パターンの形状を複数の形状変形ルールにより変形させて前記検査形状抽出部で抽出した検査形状に対応する複数の比較用形状を作成し該作成した複数の比較用形状の中から前記検査形状抽出部で抽出した回路パターンの検査形状と類似した形状を比較用形状として選択する比較形状作成部と、 該比較形状作成部で選択した比較用形状と前記検査形状抽出部で抽出した回路パターンの検査形状との情報を用いて該SEM画像の中から欠陥の画像を抽出する欠陥画像抽出部と を備えたことを特徴とする欠陥検査装置。
IPC (2)：
H01L 21/66 ,  G01N 23/225
FI (3)：
H01L21/66 J ,  H01L21/66 Z ,  G01N23/225
F-Term (24)：
2G001AA03 ,  2G001BA07 ,  2G001BA15 ,  2G001CA03 ,  2G001FA06 ,  2G001GA06 ,  2G001HA07 ,  2G001HA09 ,  2G001HA13 ,  2G001JA02 ,  2G001JA03 ,  2G001JA13 ,  2G001JA16 ,  2G001KA03 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G001PA11 ,  4M106AA01 ,  4M106BA02 ,  4M106CA39 ,  4M106DB18 ,  4M106DB20 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ20
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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