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J-GLOBAL ID：200903027291260056

窒化物系半導体レーザ装置

Inventor：
板谷 和彦

About 板谷 和彦

, 
布上 真也

About 布上 真也


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 大胡 典夫 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999276926
Publication number (International publication number)：2001102690
Application date： Sep. 29, 1999
Publication date： Apr. 13, 2001
Summary：
【要約】 (修正有)【課題】 ナイトライド系半導体レーザにおいて、プロセスの再現性にも優れ、低しきい値・低動作電圧・高信頼性で動作が可能など特性の良いナイトライド系横モード制御構造を提供する。【解決手段】 障壁層となるInAlGaN層と井戸側層となるInAlGaN層が半導体レーザを形成する構成層の支配的な格子定数または基板の格子定数にそれぞれ略一致するか、または互いに歪を補償し、クラックの発生やピエゾ電界の発生を低減するように組成、厚さを設定し、また多重量子井戸構造16、あるいは超格子構造がAl<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>N/In<SB>z</SB>Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y-z</SB>N(0<x、z≦1,0≦y<1)からなる対層から形成したり、この多重量子井戸構造16、あるいは超格子構造を少なくともn型クラッド層15に用いることで発光層としても発光効率や利得の高い窒化物系レーザを提供するものである。
Claim (excerpt)：
基板上に構成された少なくともInAlGaN(障壁層)/InAlGaN(井戸層)からなる多重量子井戸構造、あるいは超格子構造を有する窒化物系半導体レーザ装置において障壁層となるInAlGaN層か、井戸側層となるInAlGaN層が半導体レーザを形成する構成層の支配的な格子定数または基板の格子定数にそれぞれ略一致するか、または互いに歪を補償し、クラックの発生やピエゾ電界の発生を低減するように組成、厚さが形成されていることを特徴する窒化物系半導体レーザ装置。
IPC (2)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00
FI (2)：
H01S 5/343 ,  H01L 33/00 C
F-Term (15)：
5F041AA09 ,  5F041AA43 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041FF16 ,  5F073AA13 ,  5F073AA44 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073BA06 ,  5F073CB05 ,  5F073CB10 ,  5F073DA05 ,  5F073EA05 ,  5F073EA29
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (6)
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