半導体発光素子および半導体発光装置

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (5)：吉武賢次 , 橘谷英俊 , 佐藤泰和 , 吉元弘 , 川崎康
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005317038
Publication number (International publication number)：2007123731
Application date： Oct. 31, 2005
Publication date： May. 17, 2007
Summary：

【課題】発光効率が高く、演色性が高い半導体発光素子および半導体発光装置を提供することを可能にする。【解決手段】基板1上に設けられた第1導電型半導体からなる第1半導体層4と、第1半導体層上に設けられた第2導電型半導体からなる第2半導体層8と、第1半導体層と第2半導体層との間に設けられ、第1および第2半導体層の半導体の禁止帯幅より小さい禁止帯幅を有する半導体材料の複数の量子ドット6aを含み、駆動電流に応じて基底準位あるいは励起準位に対応した波長の光を発光する発光層6と、を備えている。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

基板上に設けられた第1導電型半導体からなる第1半導体層と、前記第1半導体層上に設けられた第2導電型半導体からなる第2半導体層と、前記第1半導体層と前記第2半導体層との間に設けられ、前記第1および第2半導体層の半導体の禁止帯幅より小さい禁止帯幅を有する半導体材料の複数の量子ドットを含み、駆動電流に応じて基底準位あるいは励起準位に対応した波長の光を発光する発光層と、を備えたことを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3)：

H01S 5/32 , H01L 33/00 , H01S 5/183

FI (3)：

H01S5/32 , H01L33/00 F , H01S5/183

F-Term (32)：

5F041AA03 , 5F041AA11 , 5F041CA04 , 5F041CA12 , 5F041CA34 , 5F041CA40 , 5F041CA65 , 5F041CA74 , 5F041CA76 , 5F041CA88 , 5F041CB15 , 5F041CB25 , 5F041CB27 , 5F041FF01 , 5F041FF11 , 5F041FF14 , 5F173AA08 , 5F173AC03 , 5F173AC04 , 5F173AC13 , 5F173AC14 , 5F173AD06 , 5F173AF08 , 5F173AG05 , 5F173AG12 , 5F173AH22 , 5F173AK22 , 5F173AP33 , 5F173AP38 , 5F173AR06 , 5F173AR07 , 5F173AR23

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

発光ダイオード
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-336011 Applicant：日亜化学工業株式会社
発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-371354 Applicant：日亜化学工業株式会社
多波長発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-375326 Applicant：三菱電線工業株式会社

Cited by examiner (3)

半導体波長変換素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-140764 Applicant：日本電気株式会社
量子ダッシュデバイス
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-529818 Applicant：サイエンスアンドテクノロジーコーポレーション@ユーエヌエム
量子ドットレーザ
Gazette classification：公表公報 Application number：特願2002-558378 Applicant：サイエンスアンドテクノロジーコーポレーション@ユーエヌエム

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