半導体装置およびその製造方法

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：芝野正雅
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998364238
Publication number (International publication number)：2000188357
Application date： Dec. 22, 1998
Publication date： Jul. 04, 2000
Summary：

【要約】【課題】チップサイズパッケージの信頼性を向上させる。【解決手段】 Cuより成る配線層7、メタルポスト8を被覆する絶縁樹脂層Rは、硬化の際に大幅にその膜厚が減少する収縮性の樹脂を採用する。この事で、絶縁樹脂層を研磨してメタルポストの頭出しをする工程が不要となる。しかもメタルポストの頭出しが可能であるため、バリアメタル10、11は、設定通りの膜厚に形成できる。

Claim (excerpt)：

金属材料から成る金属電極パッドに接続され、チップ表面に延在するCuを主材料とする配線層と、前記配線層の一領域に形成されたメタルポストと、前記配線層を含むチップ表面を被覆し、前記メタルポストの周囲の主表面が前記メタルポストの頭部より下端に位置する熱硬化型の樹脂から成る絶縁層と、前記絶縁層表面から露呈する前記メタルポストに形成されたバリア層と、前記メタルポストに固着された半田バンプとを具備する事を特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 23/12 , H01L 21/60 311 , H01L 21/3205 , H01L 21/60

FI (4)：

H01L 23/12 L , H01L 21/60 311 Q , H01L 21/88 T , H01L 21/92 602 F

F-Term (39)：

5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH33 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033KK01 , 5F033KK04 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK33 , 5F033MM05 , 5F033NN06 , 5F033NN19 , 5F033PP15 , 5F033PP19 , 5F033PP27 , 5F033PP28 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ27 , 5F033QQ37 , 5F033QQ46 , 5F033QQ74 , 5F033QQ91 , 5F033RR06 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR27 , 5F033SS00 , 5F033SS22 , 5F033TT04 , 5F033VV07 , 5F033XX01 , 5F033XX12 , 5F044QQ03 , 5F044QQ04 , 5F044QQ05

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

半導体チップと一体化した半導体パッケ-ジ及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-254216 Applicant：株式会社東芝
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-211207 Applicant：ソニー株式会社
半導体パッケージおよび、それの製造方法および、それを実装した回路ボードと電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-206573 Applicant：株式会社日立製作所

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